[发明专利]全相变自旋非易失存储单元有效
| 申请号： | 201610010917.9 | 申请日： | 2016-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN106960904B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李黄龙;张子阳;施路平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 王赛 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 自旋 非易失 存储 单元 | ||
1.一种全相变自旋非易失存储单元，包括磁固定层、间隔层、磁自由层；所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述间隔层设置在所述磁固定层和磁自由层之间，且该间隔层分别与所述磁固定层和磁自由层接触设置；其特征在于，所述磁固定层、所述磁自由层的材料均为界面相变材料，所述界面相变材料包括两种体相变材料交替层叠设置，所述间隔层工作过程中固定选择晶态或非晶态相变材料。
2.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述磁固定层及所述磁自由层的厚度在15nm-30nm之间。
3.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述两种体相变材料交替层叠的周期数为10-40。
4.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，进一步包括第一电极与第二电极，所述第一电极设置在所述磁固定层远离所述间隔层的表面，所述第二电极设置在所述磁自由层远离所述间隔层的表面。
5.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，进一步包括数据写入电路以及数据读出电路，所述数据写入电路和数据读出电路为恒流源或脉冲信号源。
6.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述界面相变材料处于低阻态。
7.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述界面相变材料包括交替层叠设置的体相变材料Sb2Te3和GeTe。
8.如权利要求1所述的全相变自旋非易失存储单元，其特征在于，所述间隔层的材料为GexTeySbz，其中x、y、z为整数。
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