[发明专利]一种微米级半导体传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩 膜版，显影，得到铝光刻硅板；

2)采用刻蚀剂对步骤1)得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶，即得。

2.如权利要求1所述的微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤2) 中的刻蚀剂为C₄F₈与SF₆，使用时，先将C₄F₈以100sccm的流量通入5s，然后将SF₆以 100sccm的流量通入8s。

3.如权利要求1所述的微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤1) 中在显影后进行坚膜，所述坚膜的温度为110℃，坚膜的时间为10min。

4.如权利要求1所述的微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤1) 中铝膜的厚度为1μm。

5.如权利要求1所述的微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤2) 中在去除光刻胶后，在微米级半导体传感器的引出极和收集极表面镀上Ti/Ni/Au镀膜， 在微米级半导体传感器的阴极表面溅射铝膜，采用铝刻蚀液进行铝电极阵列刻蚀。

6.如权利要求5所述的微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述铝刻蚀液 由体积比为16:1:1:2的磷酸、硝酸、醋酸、水混合得到，所述磷酸质量分数不低于85％， 所述硝酸的质量分数为65-68％，所述醋酸的质量分数不低于99.5％。

7.一种微米级半导体传感器，其特征在于，采用如权利要求1-6任意一项所述的微米 级半导体传感器的制备方法制得。