[发明专利]基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610012130.6 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105444931B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 揣荣岩;衣畅;张晓民;关若飞;关艳霞;李新;刘一婷 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 周楠;宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 牺牲 技术 soi 压力 敏感 芯片 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片的制造工艺，其特征在于：该工艺步骤如下：
（1）一次光刻，在SOI材料的正面刻蚀出腔体和8个矩形腐蚀通道；
（2）二次光刻，在步骤（1）形成的单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽，形成四个应变电阻；
（3）利用低压化学气相沉积法（LPCVD）淀积第一层氮化硅钝化薄膜即氮化硅绝缘保护层；
（4）三次光刻，形成应变电阻的引线孔；
（5）淀积金属层，第四次光刻，形成金属导线；
（6）利用LPCVD淀积一层氮化硅薄膜，形成第二层氮化硅绝缘保护层；
（7）利用LPCVD淀积第一层多晶硅结构层；
（8）五次光刻，形成腐蚀孔；
（9）湿法腐蚀去掉二氧化硅牺牲层；
（10）利用LPCVD淀积第二层多晶硅，形成密封腔体；
（11）六次光刻，形成外引线压焊点；
（12）划片、测试。
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