[发明专利]一种纳米片状硫化铜材料的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于无机功能纳米结构材料制造技术领域，具体涉及纳米片状硫化铜材料的制备方法。

背景技术

半导体材料是介于导体和半导体之间的材料，它的能隙约为1~3eV，因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间间距，就可以改变半导体材料的导电性，正因为这种特性使得半导体材料在各个领域有着广泛的应用，如大部分的电子产品。硫化铜是一种间接带隙的P型的半导体材料，具有优异的光学、电学和催化性能，它在金属导电方面、非线性光学材料方面、太阳能电池接收器、光学过滤器、催化剂等方面有着很广阔的应用前景。近年来，纳米材料特别是由一维、二维纳米材料构筑的具有特殊形貌的纳米结构由于具有优异的光学、电学、催化等性能以及在纳米器件上的潜在应用，引起了科技工作者的广泛关注。纳米材料至少在一个方向上的尺寸会小于100nm，这是它具有优异的性质的主要原因，随着材料尺寸的不断减小，纳米材料还会表现出一些独特的性能，例如，量子尺寸效应、小尺寸效应、表面和界面效应、量子隧道效应等，这些性质使得纳米材料在环境保护、国防科技、纺织业、精细化工等多个领域有着重要的应用，目前，多技术和方法也被发展用来制备微纳米结构的CuS，如水热法，微波辐射法，超声化学合成法，磁控溅射法，化学气相沉积法以及模板法等经常被使用于硫化铜的制备过程，到目前为止，各种结构和形貌的硫化铜已经被合成出来了，比如：纳米片、纳米花、纳米棒、纳米线等以及由纳米片交错聚集而成的不同纳米结构自组装体系。但这些方法或存在工艺复杂、难以实现工业化生产，或存在产品粒子形貌尺寸难以精确控制、产品质量差，或存在产品纯度低、生产成本高等缺陷。因而，寻求一种合适的制备方法显得尤为重要，水热法由于成本比较低，所得产物的分散性比较好，并且产物的纯度比较高，目前受到了研究者的广泛关注。国内外采用固态单质铜和单质硫作为反应物，利用水热的方法制备纳米硫化铜的方法还未见文献报道。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种制备工艺简单、成本低廉、形貌可控、环境污染低的硫化铜纳米片的制备方法。

本发明的方法一次包括以下步骤：

a． 将原料铜箔和硫磺按照一定的比例溶于50ml无水乙醇中，然后加入调整形貌的试剂。

b． 将上述混合物取40ml置于50ml的水热反应釜中，置于水热炉中40~180℃进行6h~20h的水热反应；

c． 水热反应结束后，将所得产物经离心分离后，分别用去离子水和无水乙醇反复洗涤，最后在60℃的烘箱中烘干12h得到最终产物。

所述的调整形貌的试剂为氟化氨。

优选的步骤a中，铜箔和硫磺的质量比为1：0.5~3以及氟化氨的质量为0.01~0.1g。步骤b中水热反应的时长是10~18h。

本发明的关键点在反应物铜箔和硫磺的质量比、水热反应时长和调整形貌剂的用量。经过实验分析发现铜箔和硫磺的质量比过大或过小会导致反应所制得的硫化铜纳米片的厚度较大；随着时长的逐渐增长，发现硫化铜纳米片的厚度逐渐减小，但超过14h后就会出现厚度增加的趋势；形貌调整剂氟化氨的用量直接导致合成样品是否成片。

本发明公开的纳米片状硫化铜材料的制备方法与现有技术相比所具有的积极效果在于：

本发明采用简单的水热合成法，引入形貌调整试剂以及简单的原料，简化

了制备工艺，降低了反应成本，并使得硫化铜的形貌可以控制，降低环境污染

程度，实现了绿色合成。

附图说明：

图1为本发明实施例八制得的硫化铜纳米片的XRD谱图；

图2为本发明实施例一制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）；

图3为本发明实施例二制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）；

图4为本发明实施例三制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）；

图5为本发明实施例四制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）；

图6为本发明实施例五制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）；

图7为本发明实施例六制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）；

图8为本发明实施例七制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）；

图9为本发明实施例八制得的硫化铜纳米片微观形貌图（SEM）。

具体实施方式