[发明专利]斜孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610013082.2 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN106960812B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 于丰源;周娜 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
横向刻蚀步骤，以进行各向同性刻蚀为主，扩大斜孔顶部的开口，同时控制斜孔侧壁的倾斜角度范围；
深度刻蚀步骤，以进行各向异性刻蚀为主，以在增加斜孔的深度的同时，微调所述斜孔侧壁的倾斜角度及粗糙度；其中，
在所述横向刻蚀步骤中，下电极功率的取值范围在10～30W；
在所述深度刻蚀步骤中，所述下电极功率的取值范围在100～300W；
所述斜孔刻蚀方法采用的工艺气体包括刻蚀气体和辅助气体，其中，
所述刻蚀气体包括SF6；
所述辅助气体包括O2和C4F8；
在所述横向刻蚀步骤中，所述SF6的气体流量与O2的气体流量的比例为10:1；所述SF6的气体流量与C4F8的气体流量的比例在3:1～4:1之间；
在所述深度刻蚀步骤中，所述SF6的气体流量与O2的气体流量的比例在3:1～4:1之间；所述C4F8的气体流量与SF6的气体流量的比例在0～1:10之间。
2.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述横向刻蚀步骤中，所述SF6的气体流量的取值范围在450～650sccm。
3.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述横向刻蚀步骤中，所述O2的气体流量的取值范围在50～70sccm。
4.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述横向刻蚀步骤中，所述C4F8的气体流量的取值范围在150～220sccm。
5.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述深度刻蚀步骤中，所述SF6的气体流量的取值范围在300～500sccm。
6.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述深度刻蚀步骤中，所述O2的气体流量的取值范围在80～150sccm。
7.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述深度刻蚀步骤中，所述C4F8的气体流量的取值范围在0～50sccm。
8.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述横向刻蚀步骤中，腔室压力的取值范围在100～180mT。
9.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述深度刻蚀步骤中，腔室压力的取值范围在250～300mT。
10.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在所述横向刻蚀步骤和所述深度刻蚀步骤中，上电极功率的取值范围均在2000～2500W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
