[发明专利]一种基于模式耦合的太赫兹调制器

权利要求书

1.一种基于模式耦合的太赫兹调制器,该调制器包括:衬底、明模谐振单元、暗模谐振单 元、动态区，其中明模谐振单元、暗模谐振单元、动态区是位于衬底上的平面结构；明模谐振 单元为两个结构相同、开口相对的“U”形振子；暗模谐振单元为带开口的环形结构，该开口 朝向其中一个“U”形振子，所述暗模谐振单元设置于明模谐振单元的中心位置；动态区设置 于暗模谐振单元的开口处，通过对动态区域的进行通断控制，实现对垂直穿过该器件太赫兹波 的动态实时调制。

2.如权利要求1所述的一种基于模式耦合的太赫兹调制器，其特征在于所述明模谐振单 元、暗模谐振单元材料为为金、银、铜、铝；所述衬底材料为硅、蓝宝石、石英、砷化镓、碳 化硅。

3.如权利要求1所述的一种基于模式耦合的太赫兹调制器，其特征在于所述动态区材料 为相变材料或超导材料,通过温度控制该区域的通断。

4.如权利要求1所述的一种基于模式耦合的太赫兹调制器，其特征在于所述动态区材料 为掺杂硅或掺杂砷化镓，通过光控制该区域的通断。

5.如权利要求1所述的一种基于模式耦合的太赫兹调制器，其特征在于所述动态区材料 为HEMT、石墨烯或铁电材料，通过电控制该区域的通断。