[发明专利]一种降低导电微纳米线间接触电阻的低温微波退火方法有效
申请号: | 201610014847.4 | 申请日: | 2016-01-11 |
公开(公告)号: | CN105551687A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 曾葆青;邓波波;柳建龙;吴喆 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 导电 纳米 间接 触电 低温 微波 退火 方法 | ||
1.一种降低导电微纳米线间接触电阻的低温微波退火方法,该方法包括:
步骤1:取所需大小的基底材料,先后置于酒精和丙酮中进行超声清洗,然后用去离子水 冲洗掉残留的丙酮,然后进行干燥后备用;
步骤2:将清洗干燥过后的基底进行等离子体处理;
步骤3:将导电金属微纳米线溶液做超声处理,使微纳米线的分散性更好;
步骤4:将导电金属微纳米线溶液旋涂至上述基底上以制备出金属网样品;
步骤5:将步骤4获得的金属网样品,进行微波退火处理,使纳米线表面产生表面电流, 达到焊接效果。
2.如权利要求1所述的一种降低导电微纳米线间接触电阻的低温微波退火方法,其特征 在于所述步骤1中将基底材料先置于酒精中清洗5~10分钟,在置于丙酮中5~10分钟。
3.如权利要求1所述的一种降低导电微纳米线间接触电阻的低温微波退火方法,其特征 在于所述步骤2在在氧气环境中,压强为75Pa的环境下进行等离子体处理,处理时间为1~ 10分钟。
4.如权利要求1所述的一种降低导电微纳米线间接触电阻的低温微波退火方法,其特征 在于所述步骤3中的导电微纳米线溶液采用频率为40KHz,功率为240W的超声波做超声处理, 处理时间1~2分钟。
5.如权利要求1所述的一种降低导电微纳米线间接触电阻的低温微波退火方法,其特征 在于所述步骤5采用50到4000W的功率,退火1秒到10分钟。
6.如权利要求1所述的一种降低导电微纳米线间接触电阻的低温微波退火方法,其特征 在于所述步骤5采用微波退火的方式进行多次退火处理。
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