[发明专利]一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法有效
| 申请号： | 201610014931.6 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105652175B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王润声;蒋晓波;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 涨落 影响幅度 电学特性 器件阈值电压 微电子器件 工艺优化 亚阈摆幅 阈值电压 评估 | ||
【权利要求书】：
1.一种不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法，其特征在于，包括：
1)测量器件的转移曲线Id-Vg，从曲线上提取得到器件的阈值电压Vth和亚阈摆幅SS；
2)计算Vth和SS的方差σ2(Vth)、σ2(SS)，以及Vth和SS的协方差Σ；
3)由公式得到LER造成的阈值电压涨落幅度σ(δVth,LER)，其中，k为常数，由公式计算得到系数k的值；
4)由公式得到金属功函数涨落WFV造成的阈值电压涨落幅度σ(δVth,WFV)。
2.如权利要求1所述的不同涨落源对器件电学特性影响幅度的提取方法，其特征在于，针对SOI衬底的双栅型鳍型场效应晶体管，采用TCAD器件仿真得到的Id-Vg曲线来代替真实测量得到Id-Vg曲线。
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