[发明专利]DRAM不良晶粒的回收再利用方法

说明书

技术领域

本发明涉及DRAM动态随机存储器，特别涉及DRAM不良芯片的回收再利用方法。

背景技术

DRAM（Dynamic Random Access Memory动态随机存储器）内存芯片是由DRAM晶圆上的芯片封装而成，单片晶圆上通常含有几种不同类型的芯片（die）——良品芯片、工艺监控芯片以及不良芯片。通常情况下，良品芯片会被切割封装而进行后续芯片测试，工艺监控芯片和不良芯片则会被废弃并做无害化处理。不良芯片是指因部分电路存在缺陷而不能基本满足器件的特征或设计规格书的芯片(电路单元)。但多数不良芯片的损坏电路仅仅占到整个电路面积的很小一部分，这就为针对部分电路区块进行功能测试继而筛选甄别出一半存储容量可用的产品提供了可能。

在成熟DRAM产品晶圆中不良芯片所占比例可以达到10%~20%左右，以DDR3 4Gb DRAM产品为例，经过分析晶圆上的不良芯片有超过一半比例仍然有2Gb容量的单元是可用，因此回收利用这一部分芯片将会为企业带来可观的收入。

发明内容

针对现有技术的缺失，本发明的目的在于提供一种DRAM不良芯片的回收再利用方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种DRAM不良芯片的回收再利用方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在晶圆测试过程中，根据正常全容量测试过程出现失效的地址范围，对每颗芯片做出初步分类，并在晶圆对位图（Wafer Mapping）对每颗芯片做出标记；

2)在芯片贴片（Die Bond）时通过晶圆对位图将相同类型半容量的芯片抓取贴到同一个基板上，并将不同类别芯片分别放置；

3)针对每种类型的半容量芯片，特别定制对应的专用邦线方式，让对应地址线在芯片内部强制连接到低电平或者高电平；

4)针对各种类型半容量芯片开发测试程序，修改测试程序引脚定义、地址范围、测试向量访问范围，控制测试程序对芯片固定半容量的访问；

5)完成封装后的芯片，通过定制测试程序完成最终芯片测试，筛选出真正半容量参数、功能、速度均达标的芯片作为最终成品。

本发明的有益效果是：成本低、兼容性强，同时，通过回收利用半容量芯片，可提高产品产出率，增加企业收益。

附图说明

图1是DRAM存储单元寻址示意图；

图2是传统标准DRAM邦线示意图；

图3是容量减半的地址线邦线修改方式示意图；

图4是传统DRAM生产方法流程示意图；

图5本发明DRAM不良芯片的回收再利用方法流程示意图。

具体实施方式

本发明一种DRAM不良芯片的回收再利用方法实施例，其特征在于包括如下步骤：

1) 上游晶圆厂在晶圆测试过程中，根据正常全容量测试过程中出现失效的地址范围，对每颗芯片做出初步分类， Bin左半好芯片：A15=0一半容量合格，Bin右半好芯片：A15=1一半容量合格……在晶圆对位图（Wafer Mapping）对每颗芯片做出标记；

2) 封装厂在芯片贴片（Die Bond）时通过晶圆对位图将相同类型半容量的芯片抓取贴到同一个基板上，不同类别芯片分别放置；

3) 针对每种类型的半容量芯片，特别定制对应的专用邦线方式，让对应地址线在芯片内部强制连接到基板的接地引脚或者连接到基板的电源引脚；

4) 针对各种类型半容量芯片开发测试程序，修改测试程序引脚定义、地址范围、测试向量访问范围，从而控制测试程序对芯片固定半容量的访问；

5) 完成封装后的芯片，通过定制测试程序完成最终芯片测试，筛选出真正半容量参数、功能、速度均达标的芯片作为最终成品。

在内存模组上使用标准半容量PCB，例如如果半容量芯片是2Gb，则使用标准2Gb对应的PCB板，此时对于最终模组和系统来说，该内存的使用与一般内存无异。

本发明针对业界常用的保持原有封装形式、多种组合测试、修改模组PCB的做法存在的缺陷，提出针对芯片封装测试的改进方法，对芯片封装方式做修改，并通过测试方法的调整，使用很低成本完成所需DRAM芯片的容量减半回收利用。

根据JEDEC标准的定义，DRAM寻址是通过相应地址引脚输入地址信息进行访问。如图1所示，以DDR3 4Gb芯片为例，地址引脚包括BA0~BA2控制的Bank地址、和A0~A15控制的行列地址，因此封装中标准的邦线方式是通过金属引线将基板和晶圆对应的同样功能接口的焊线点（bond pad）连接在一起。