[发明专利]单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法及装置

权利要求书

1.一种单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：在基于迈克耳孙干涉仪的测量光路中引入一个由双显微物镜构成的显微成像装置，收集来自单根一维纳米材料的微弱散射光信号进行成像和探测；

步骤2：显微成像装置输出的散射光由电荷耦合器件(CCD)接收，得到散射光的强度分布图像；

步骤3：观察散射光的强度分布图像，调节待测样品的位置，将会聚光投射到单根一维纳米材料上，根据调节变化量可以确定单根一维纳米材料的位置；

步骤4：显微成像装置输出的散射光由光电探测器接收，进而利用傅里叶变换光谱技术获得单根一维纳米材料的散射光谱。

2.一种实现权利要求1所述单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法的装置，其特征在于包括第一激光器(1)、第二激光器(2)、迈克耳孙干涉仪(3)、反射镜(4)、第一探测器(5)、显微成像装置(6)、凸透镜(7)和第二探测器(8)；第一激光器(1)输出的探测光和第二激光器(2)输出的参考光同时进入迈克耳孙干涉仪(3)，迈克耳孙干涉仪(3)输出的参考光经过反射镜(4)到达第一探测器(5)，迈克耳孙干涉仪(3)输出的探测光依次经过显微成像装置(6)、凸透镜(7)到达第二探测器(8)。所述显微成像装置(6)包括凹透镜(12)、第一长工作距离显微物镜(13)、待测样品(14)、三维位移平台(15)和第二长工作距离显微物镜(16)，沿着入射光的轴向依次排列；待测样品(14)安放在三维位移平台(15)上，通过调节三维位移平台(15)使待测样品(14)位于第一长工作距离显微物镜(13)的焦点位置处；长工作距离显微物镜(13)和(16)的放大倍数均为20倍，两个物镜之间的夹角通过优化，确保入射探测光的直透分量在自由空间耗散掉，只有待测样品(14)的散射光被第二长工作距离显微物镜(16)收集。

3.根据权利要求2所述单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量装置，其特征在于：所述第一激光器(1)、第二激光器(2)、迈克耳孙干涉仪(3)、反射镜(4)、第一探测器(5)、凸透镜(7)和第二探测器(8)构成傅里叶变换光谱仪。

4.根据权利要求2或3所述单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量装置，其特征在于：所述第一激光器(1)为宽带激光器，包括超连续谱激光器；第二激光器(2)为稳频激光器，包括氦氖激光器、氩离子激光器或半导体激光器。

5.根据权利要求2或3所述单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量装置，其特征在于：所述第一探测器(5)为光电二极管，第二探测器(8)为电荷耦合器件(CCD)或光电二极管。