[发明专利]一种树生石斛的高产栽培方法

说明书

技术领域

本发明属植物栽培技术领域，尤其涉及一种将石斛移至树上的高产栽培方 法。

背景技术

石斛属兰科(Orchidaceae)石斛属(Dendrobium)植物，也是被称为“黄金 草”的珍贵濒危植物。石斛的人工栽培和规模化生产是我国近年来一项新兴的种 植业。在石斛产业的发展过程中，提高石斛产品质量是这一产业今后发展的出路。

人为将石斛放在树木上生长的方式称为树生石斛栽培。树生石斛栽培是提升 石斛产品质量的关键措施之一，因为树的枝叶对石斛的遮荫，形成了石斛良好的 生长环境，且石斛生长的立体空间大，可接收更多的自然光和雨露，并依靠吸收 树皮中的养份生长，使品质得到明显的提高。但产量不高导致经济效益低下，成 为阻碍这一栽种模式发展的瓶颈。

本发明是在分析设施栽培石斛及仿野生活树栽培石斛两种栽培技术的优势 及存在问题的基础上，发明的一种树生石斛的高产栽培方法。

发明内容

为解决现有树生石斛栽培技术中产量低、品质差的技术问题，本发明提供一 种树生石斛的高产栽培方法。

本发明技术方案如下：

1、一种树生石斛的高产栽培方法，包括以下步骤：

(1)种植林的选择：选择海拔1000米以上，年降雨量1200～2500毫米， 石斛生长季节温度为20℃～25℃、冬季最低气温0℃以上，无霜，年日照2000h～ 2200h，林间郁闭度在50％～60％的常绿阔叶林；

(2)种植：于每年6月～9月，在所述的常绿阔叶林内，将每丛石斛种苗 的根部贴于树杆并绑缚在树干上，每丛石斛种苗为3～4株，所绑缚的石斛种苗 沿树干一圈为一层，最低层距离地面50～60cm，最高层距离地面200～210cm， 相邻两丛石斛种苗之间的间距为5～6cm，相邻两层石斛种苗的行距为15～16 cm，石斛种苗绑缚在树干上后，用基质覆盖在石斛种苗根部，基质表面用遮阳 网条带绑缚，石斛种苗的茎条发芽点露在基质外面，浇定根水，再用黑色塑料薄 膜条带绑缚在遮阳网条带表面，种植后的第二天，向基质及石斛种苗喷施天泉1 号树生石斛营养液，所述天泉1号树生石斛营养液的配方为：复硝酚钠1mg/L， 环己六醇5mg/L，盐酸硫胺素10mg/L，碳酰二胺20mg/L，溶剂为水；

(3)种植后管理：

①石斛生长期间，保持树生石斛生长林间郁闭度在50％～60％，如果林间郁 闭度大于60％，在冬季剪去附主林木过密的枝条或细弱枝；

②种植后至当年10月，每月叶面喷施天泉2号树生石斛营养液2～3次，每次 喷施间隔10～15天；所述天泉2号树生石斛营养液的配方为：己酸二乙氨基乙醇 酯1mg/L、盐酸硫胺素5mg/L、环己六醇5mg/L、磷酸二氢钾100mg/L，溶剂为 水；

③种植后第二年起，每年2～5月，每周给石斛植株及林间喷水2～3次；

④种植后第二年起，每年6月追肥一次，所述追肥为在步骤(2)中所述的每 层相邻的两丛石斛种苗之间的基质内埋入腐熟羊粪2～3粒；

⑤种植后第二年起，每年6月至10月，每月叶面喷施步骤(3)②所述的天泉 2号树生石斛营养液2次，每次喷施间隔10～15天。

2.根据技术方案1所述树生石斛的高产栽培方法，步骤(2)中所述基质厚 度为3～4cm。

3.根据技术方案1所述树生石斛的高产栽培方法，步骤(3)④所述的追肥 时间，选择晴天进行。

4.根据技术方案1或2或3所述树生石斛的高产栽培方法，步骤(2)中所 述基质为锯末或苔癣。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明方法不同于设施内石斛的栽培，也与完全仿野生树上栽种石斛有区 别，是通过规范操作石斛上树种植并加以管理，达到既可提升石斛产品品质，又 能提高单位面积产量。本发明方法显著提高了树生石斛的产量和产品品质，其平 均产量为15.6kg/树～25.3kg/树，比对照增产47.17～125.89％，所生产的石斛产 品质量明显高于中国药典规定，其多糖含量为32.7％，浸出物含量为7.6％，多 糖含量比对照提高26.3％，浸出物含量比对照提高20.6％，产生了预料不到的技 术效果。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步说明，各实施例无特殊说明的为常规方 法，所用试剂、种苗等材料均为市售。

实施例1