[发明专利]一种纳米羟基磷灰石表面接枝RGD肽的制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 201610016993.0 申请日: 2016-01-12
公开(公告)号: CN105412983A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 曹伟娜;王延伟;于翔;杨柳;吕明秀;屈少一 申请(专利权)人: 河南工程学院
主分类号: A61L27/12 分类号: A61L27/12;A61L27/22;A61L27/50
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 张绍琳;张真真
地址: 451191 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 羟基 磷灰石 表面 接枝 rgd 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种纳米羟基磷灰石表面接枝RGD肽的制备方法,其特征在于步骤如下:

(1)硅烷偶联剂在乙醇水溶液中充分水解0.5~2h,加入纳米羟基磷灰石反应6-8h,反应完成后离心回收固体物质,真空干燥后进行研磨、过筛,得到表面修饰了-NH2的纳米羟基磷灰石;

(2)将表面修饰了-NH2的纳米羟基磷灰石与浓度为0.1mol/L的二醛水溶液混合均匀,反应8-10h,反应完成后离心回收固体物质,真空干燥后研磨过筛,得到表面醛基化的纳米羟基磷灰石;

(3)配制浓度为0.1mol/L的RGD肽的水溶液,将表面醛基化的纳米羟基磷灰石加入到RGD肽的稀溶液中,反应4-6h,将反应后的产物离心、去离子水洗涤,然后冷冻干燥,研磨后即得到羟基磷灰石接枝RGD肽材料。

2.根据权利要求1所述的纳米羟基磷灰石表面接枝RGD肽的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷中的一种。

3.根据权利要求1所述的纳米羟基磷灰石表面接枝RGD肽的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中纳米羟基磷灰石与硅烷偶联剂的摩尔比为1:1-1:1.5。

4.根据权利要求1所述的纳米羟基磷灰石表面接枝RGD肽的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的二醛为戊二醛、己二醛、1,4-丁二醛中的一种。

5.根据权利要求1所述的纳米羟基磷灰石表面接枝RGD肽的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中表面修饰了-NH2的纳米羟基磷灰石与二醛的摩尔比为1:1-1:1.5。

6.根据权利要求1所述的纳米羟基磷灰石表面接枝RGD肽的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中醛基化的纳米羟基磷灰石与RGD肽的摩尔比为1:1-1:1.5;

7.权利要求1所述的纳米羟基磷灰石接枝RGD肽在组织工程和骨修复中的应用。

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