[发明专利]集成电容器的方法和设备

权利要求书

1.一种设备，包括：

衬底，其包括电介质层；

第一电极，其包括形成在所述衬底的第一沟槽中的导电材料， 其中所述电介质层位于所述第一电极与所述衬底之间；以及

第二电极，其包括形成在所述衬底的第二沟槽中的导电材料， 其中所述电介质层位于所述第二电极与所述衬底之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底传导电极间电流。

3.根据权利要求1所述的设备，还包括：

掺杂区，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽位于所述掺杂区内。

4.根据权利要求1所述的设备，还包括：

连接至所述第一电极的第一组过孔，以及连接至所述第二电极 的第二组过孔。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述衬底包括彼此相对的 第一表面和第二表面，并且其中所述第一沟槽和所述第二沟槽形成在 所述衬底的第一表面上，并通过所述第一组过孔和所述第二组过孔连 接至所述衬底的第二表面。

6.一种设备，包括：

衬底，其包括电介质层；

第一电极，其包括形成在所述衬底的第一沟槽中的导电材料， 其中所述电介质层位于所述第一电极与所述衬底之间；以及

第二电极，其包括形成在所述衬底的第二沟槽中的导电材料， 并且所述导电材料与所述衬底形成电接触。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一沟槽和所述第二 沟槽形成在所述衬底的第一表面，并且其中所述第一沟槽和所述第二 沟槽通过第一组过孔和第二组过孔连接至所述衬底的第二表面。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一组过孔连接至所 述第一电极，并且所述第二组过孔连接至所述第二电极。

9.根据权利要求6所述的设备，其中所述衬底传导电极间电流， 所述衬底还包括掺杂区，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽位于所述 掺杂区内。

10.一种方法，包括步骤：

在半导体衬底上形成针对电极的沟槽；

在所述半导体衬底上形成电介质层；

在所述半导体衬底上形成包括导电材料的导电层；以及

去除所述导电材料的一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成沟槽的步骤包括： 对所述沟槽进行湿法刻蚀。

12.根据权利要求10所述的方法，其中形成沟槽的步骤包括： 对所述沟槽进行等离子体刻蚀。

13.根据权利要求10所述的方法，其中形成沟槽的步骤包括： 对所述沟槽进行电化学刻蚀。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括步骤：

在所述沟槽附近对所述半导体衬底进行掺杂。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述形成电介质层的步 骤包括对所述电介质层进行热氧化。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述形成电介质层的步 骤包括：施加化学气相沉积以形成所述电介质层。

17.一种用于制造集成电容器的方法，包括步骤：

在半导体衬底的第一侧形成针对电极的沟槽；

在所述半导体衬底的第二侧形成用于电连接的其他沟槽；

在所述半导体衬底上形成电介质层；

在所述半导体衬底上形成包括导电材料的导电层；以及

去除所述导电材料的一部分。

18.根据权利要求17所述的方法，其中形成沟槽的步骤包括： 利用刻蚀形成所述沟槽。

19.根据权利要求17所述的方法，还包括步骤：在所述沟槽附 近对所述半导体衬底进行掺杂。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述形成电介质层的步 骤包括：利用蒸发工艺形成所述电介质层。