[发明专利]制备高效铜铟镓硒太阳能电池的钠钾共掺杂技术在审
申请号: | 201610018154.2 | 申请日: | 2016-01-12 |
公开(公告)号: | CN105632903A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 刘德昂;钱磊;章婷;冯宗宝;欧阳 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/18 |
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地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 高效 铜铟镓硒 太阳能电池 钠钾共 掺杂 技术 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,涉及到一种铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池器件。
背景技术
一切能量都来自于能源,人类的生活离不开能源。进入21世纪后,人类目前技术可开发的能源资源 已将面临严重不足的危机,特别是当今煤炭、石油和天然气等矿石燃料资源日益枯竭,甚至只能维持几十 年。因此,必须寻找可持续的替代新能源。另外,煤炭、石油和天然气等矿石燃料在使用过程中,还会带 来一系列的环境问题:全球性的温室效应使得全球气温升高,海平面上升;空气污染;干旱,荒漠化;废 气、废物、废液大量排放,造成人类环境的严重污染。
所以寻找清洁的可再生新能源成为当前人类很迫切的任务。在现有的可再生新能源中,太阳能成为最 受人们关注的清洁新能源。太阳能具有很多优点,它随处可得,数量巨大;取之不尽,用之不竭;既清洁 又安全,无污染,又不会影响生态环境。所以,开发利用太阳能成为世界各国发展清洁新能源的战略决策。
在现有的太阳能电池技术中,铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池具有光吸收能力强,稳定性好、 抗辐照性能好、效率高、成本低,可以做成柔性组件,最适合作为光伏建筑一体化(BIPV)使用等优点, 受到了人们关注,是一种很有发展潜力的太阳能电池技术。
不过相比传统的火力发电技术,现有的太阳能电池的发电成本还是不够低,所以需要政府的大力扶持 才能进一步发展,为了进一步降低太阳能电池的发电成本,一个有效的方法就是提供太阳能电池的光电转 换效率。众所周知,为了得到高效的CIGS薄膜太阳能电池,钠金属离子的掺杂是很有必要的。钠金属离 子进入到CIGS吸收层,可以钝化CIGS晶界,促进CIGS晶粒的生长,从而明显提高电池的光电转换效率。 在本发明中,我们提出将钠离子和钾离子同时掺杂到CIGS吸收层中的技术,可以进一步提高CIGS太阳能 电池的光电转换效率。同时,我们还提出了几种把钠离子和钾离子同时掺杂到CIGS吸收层中的办法.
发明内容
本发明的目的在于提出了把钠离子和钾离子共同掺杂到CIGS吸收层中的新技术,以提高CIGS太阳能 电池的光电转换效率。为了对本发明的技术方案做更好的说明,本文中采用常用的CIGS太阳能电池器件 结构作为例证(如附图1所示)。器件结构包括:
—衬底(001),衬底可以是玻璃,也可以是柔性衬底如不锈钢或者聚酰亚胺PI塑料,用于承托CIGS器件。 使用之前需要进行清洗处理。
—金属背电极(002),一般常用金属钼(Mo)作为背电极,用溅射的办法沉积在玻璃衬底(001)上,可以作 为正极导出空穴。
—吸收层(003),CIGS吸收层一般沉积在背电极上,用于吸收入射太阳光。CIGS吸收层可以采用溅射后硒 化,多元共蒸,电镀,溶液法等沉积技术均可,本发明的主要特点就是在CIGS吸收层中共同掺杂钠离子 和钾离子,可以提高CIGS太阳能电池的光电转换效率。
—缓冲层(004),一般利用化学水浴法制备硫化镉(CdS)作为缓冲层(004)沉积在吸收层(003)上,它既可以 和p型的CIGS层形成pn结,有可以作为CIGS层与ZnO层的过渡层,能够缓冲晶格失配和能带台阶。在 本发明中,我们在化学水浴法沉积硫化镉的过程中引入超声,以提高太阳能电池器件的性能。
—透明电极TCO(005),常用高阻氧化锌(IZO)和掺铝氧化锌(AZO)作为透明电极(005)制作在缓冲层 (004)上,既可以透过太阳光,又可以收集传输电子,作为太阳能电池的负极。
—金属栅极(006),常用镍铝(Ni/Al)电极沉积在AZO层上面,可以更有效的收集电子并把电子导出。 在实际应用中,大面积的CIGS电池组件产品是不需要金属栅极(006)的,而是用激光刻划的办法在电池 组件内部进行串联或者并联,组件表面是看不到金属电极的,这样的组件相比晶硅组件美观大方,更适用 于光伏建筑一体化。
为了有效的实现钠离子和钾离子的共同掺杂到CIGS吸收层,本发明提出了几种具体如何实现钠离子 和钾离子共同掺杂的办法,从而以提高太阳能电池器件的性能。
附图说明
为进一步说明本发明的内容以及特点,以下结合附图对本发明作详细的描述,并给出具体的实施例证。 其中图1是CIGS薄膜太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造