[发明专利]利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的方法

权利要求书

1.利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在无应力条件下，利用拉曼光谱对不同化学计量比粉体材料进行测量，建立特征拉 曼峰强比R与晶格振动峰位ω₀的关系曲线，得到不同化学计量比材料在无应力条件下的晶格 振动峰位置ω₀；

(2)分析待测薄膜的拉曼光谱数据，分别得到待测包膜的特征拉曼峰强比R′和拉曼晶 格振动峰位置ω_p，然后根据R′的值，利用步骤(1)中的关系曲线，得到对应的ω’₀；

(3)对步骤(1)中的粉体材料进行高压拉曼实验，得到晶格振动峰位与应力之间的关 系k’₁；

(4)将所得到的数据代入到公式：σ＝k’₁(ω_p-ω’₀)，得到待测薄膜的应力值σ。

2.根据权利要求1所述的利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的方法，其特 征在于，所述粉体材料通过原位反应或块体粉碎后高温退火处理制备得到。

3.根据权利要求2所述的利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的方法，其特 征在于，所述粉体材料的粒径小于50微米；且拉曼光谱测量时，激光功率小于1mW。

4.根据权利要求1～3任一项所述的利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的 方法，其特征在于，所述待测薄膜为单一过渡金属的氧化膜或合金的氧化膜。