[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片,其特征在于：所述LED芯片包括：

衬底；

位于所述衬底上的半导体外延层，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；

与所述P型半导体层电性导通的P电极以及与所述N型半导体层电性导通的N电极；

所述半导体外延层中形成有呈封闭型的绝缘层，所述P电极全部位于所述绝缘层内的半导体外延层上方，所述绝缘层外部的P型半导体层与P电极电性导通。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘层贯穿所述N型半导体层、发光层及P型半导体层。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘层的顶端高度不低于所述P型半导体层的上表面。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘层的截面呈圆环形，所述P电极的截面呈圆形，并且所述P电极位于所述绝缘层的中心位置。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述P型半导体层上设有透明导电层，所述P电极设置于透明导电层上侧，所述P电极与绝缘层外部的P型半导体层通过透明导电层电性导通。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述P型半导体层上设有引脚电极，所述P电极与绝缘层外部的P型半导体层通过引脚电极电性导通。

7.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘层的宽度大于或等于4um。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、五氧化三钛、三氧化二铝、氟化镁中的一种。

9.一种LED芯片的制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

S1：提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；

S2：在LED晶圆进行MESA光刻，在光刻胶层上形成MESA图层，并以MESA图层为掩膜对LED晶圆进行刻蚀，并自P型半导体层刻蚀至N型半导体层，形成N型台阶；

S3：沿P型半导体层刻蚀至衬底形成封闭型的隔离槽，并在隔离槽内填充绝缘材料形成绝缘层；

S4：在N型台阶上方制作N电极，在位于所述绝缘层内部的LED晶圆的正上方制作P电极。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括：

在P型半导体层上制作电流阻挡层；

和/或在电流阻挡层上方制作ITO透明导电层；

和/或在透明导电层上方制作SiO₂保护层。