[发明专利]一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法有效
| 申请号： | 201610018728.6 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105655442B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;王伟豪;戴文;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 薄膜晶体管 紫外 探测器 制备 方法 | ||
1.一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该探测器自下而上依次有低阻Si层（1）、SiO2绝缘层（2）、ZnO纳米晶层（3）和Au电极（4），其特征在于，该探测器的制备方法包括以下步骤：
1）将Zn（CH3COOH）2•2H2O溶解于二甲基亚砜，使Zn（CH3COOH）2•2H2O浓度为0.1 M，获得A溶液；
将 (CH3)4NOH•5H2O溶解于乙醇，使(CH3)4NOH•5H2O 浓度为0.55 M，获得B溶液；
将B溶液滴加至A溶液中，在室温下搅拌反应2～24 h，获得混合溶液C；其中B溶液与A溶液的体积比为1:3；
向每40mL溶液C中加入40 mL的乙酸乙酯，使ZnO纳米晶析出，离心后倒去上层清液，再加入10 mL乙醇和160 uL 乙醇胺溶解ZnO纳米晶，随后再加入20～50 mL乙酸乙酯析出ZnO纳米晶，离心后倒去上层清液，最后加入2～4 mL乙醇，用孔径0.22 um的PTFE滤头过滤后得到ZnO纳米晶的胶体分散相；
2）在洁净的电阻率为0.001～0.005 Ω•cm的低阻Si层（1）上制备厚度为150～300 nm的SiO2绝缘层（2），再在SiO2绝缘层（2）上旋涂步骤1）的ZnO纳米晶胶体分散相，转速为1500～4000 r/min，旋涂40 s，旋涂后在80～300 ℃退火15 min，在SiO2绝缘层（2）上获得厚度为20～100 nm的ZnO纳米晶层（3）；
3）在上述的ZnO纳米晶层（3）上蒸镀厚度为70～100 nm的Au电极（4），获得ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
