[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201610019077.2 申请日: 2016-01-12
公开(公告)号: CN105632440B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 谭文;陈佳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 汪源;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:数据写入单元、电压跟随单元、电压存储单元和液晶电容;所述数据写入单元与所述电压存储单元连接;所述电压跟随单元的输入端与所述数据写入单元和所述电压存储单元连接,所述电压跟随单元的输出端与所述液晶电容的第一端连接;电压存储单元与第一电源端连接,所述液晶电容的第二端与第二电源端连接;

所述数据写入单元用于在所述像素电路处于正常显示模式时,将数据线上的数据电压发送至所述电压存储单元和所述电压跟随单元;

所述电压存储单元用于在所述像素电路处于正常显示模式时将所述数据电压进行存储,以及,在所述像素电路处于静态显示模式时,将所述数据电压或调整电压发送至所述电压跟随单元的输入端,所述调整电压满足:

Vdata'=2Vref-Vdata

其中,Vdata’为所述调整电压,Vref为所述第一电源端输出的电压,Vdata为所述数据电压;

所述电压跟随单元用于根据所述数据电压或所述调整电压输出相应的数据输出电压,以供所述液晶电容产生相应的液晶偏转电场;

所述第二电源端输出的电压满足:

Vcom=Vref-△V

其中,Vcom为所述第二电源端输出的电压,△V为所述电压跟随单元的输入端与输出端的电压差。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述电压存储单元包括:存储电容、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管;

所述第五晶体管的控制极与第一控制线连接,所述第五晶体管的第一极与所述第一电源端连接,所述第五晶体管的第二极与所述存储电容的第一端连接;

所述第六晶体管的控制极与第二控制线连接,所述第六晶体管的第一极与所述第一电源端连接,所述第六晶体管的第二极与所述存储电容的第二端连接;

所述第七晶体管的控制极与所述第二控制线连接,所述第七晶体管的第一极与所述存储电容的第一端连接,所述第七晶体管的第二极与所述电压跟随单元的输入端和所述数据写入单元连接;

所述第八晶体管的控制极与所述第一控制线连接,所述第八晶体管的第一极与所述存储电容的第二端连接,所述第八晶体管的第二极与所述电压跟随单元的输入端和所述数据写入单元连接。

3.根据权利要求2所述像素电路,其特征在于,所述电压存储单元还包括:第一电压补偿单元和第二电压补偿单元;

所述第一电压补偿单元设置于所述第五晶体管的第二极与所述存储电容的第一端之间,第二电压补偿单元设置于所述第六晶体管的第二极与所述存储电容的第二端之间;

所述第一电压补偿单元用于在所述像素电路处于静态显示模式且所述第五晶体管处于截止状态时,防止在所述存储电容的第一端与所述第一电源端之间产生漏电流;

所述第二电压补偿单元用于在所述像素电路处于静态显示模式且所述第六晶体管处于截止状态时,防止在所述存储电容的第二端与所述第一电源端之间产生漏电流。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述第一电压补偿单元包括:第九晶体管和第十一晶体管;

所述第九晶体管的控制极与所述第一控制线连接,所述第九晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极和所述第十一晶体管的第二极连接,所述第九晶体管的第二极与存储电容的第一极连接;

所述第十一晶体管的控制极与所述第二控制线连接,所述第十一晶体管的第一极与第三电源端连接,所述第十一晶体管的第二极与所述第五晶体管的第二极连接。

5.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述第二电压补偿单元包括:第十晶体管和第十二晶体管;

所述第十晶体管的控制极与所述第二控制线连接,所述第十晶体管的第一极与所述第六晶体管的第二极和所述第十二晶体管的第二极连接,所述第十晶体管的第二极与存储电容的第二极连接;

所述第十二晶体管的控制极与所述第一控制线连接,所述第十二晶体管的第一极与第三电源端连接,所述第十二晶体管的第二极与所述第六晶体管的第二极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610019077.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top