[发明专利]一种草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法

权利要求书

1.一种草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）嗜酸铁硫氧化细菌的驯化和培养；

（2）将步骤（1）中培养好的嗜酸铁硫氧化细菌进行收集，并将其接入200-400目的含铁硫半导体硫化矿物体系中，在光照条件下进行浸出；

（3）在含半导体硫化矿物和嗜酸铁硫细菌浸出体系中分批投加草酸溶液。

2.根据权利要求1所述的草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于所述步骤（1）：浸出体系中所使用的嗜酸铁硫氧化细菌包括具有铁和硫氧化能力的各型嗜酸常温菌、中温菌和高温菌以及混合菌组合，其培养能源包括含有还原性铁或硫的化合物以及含有还原性铁或硫的矿物。

3.根据权利要求2所述的草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于所述步骤（1）：含有还原性铁或硫的化合物以及含有还原性铁或硫的矿物包括硫酸亚铁、硫粉、黄铜矿、黄铁矿、闪锌矿。

4.根据权利要求1或2所述的草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于所述步骤（1）：将铁硫氧化细菌菌液以1-10%的接种量接入含有1％半导体硫化矿9K培养基中，进行第一次驯化，每天定时用血球计数板法计活细胞数量，当细菌浓度能够达到10⁸-10⁹个/ml时，完成第一次驯化，除去滤渣，离心收菌，重复上述步骤，在含有2％、3％、5％的半导体硫化矿矿浆中依次进行驯化，直至铁硫氧化细菌能够耐受2%-5％的半导体硫化矿矿浆浓度。

5.根据权利要求1或2所述的草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于所述步骤（1）：将驯化好的嗜酸铁硫氧化细菌在含有2%-5%半导体硫化矿的9K培养基中进行摇瓶培养，其培养条件为初始pH 1.0-2.5，温度25-40℃，摇床转速 170-200 rpm。

6.根据权利要求1所述的草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于所述步骤（2）：在含有1%-5% 半导体硫化矿物的9K 培养基中接入1×10⁷-5×10⁷个/ml嗜酸铁硫氧化细菌。

7.根据权利要求1或6所述的草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于所述步骤（2）：浸出体系初始pH 1.0-2.5，温度25-40℃，摇床转速 170-200 rpm，光照强度为6000-8500 lux。

8.根据权利要求1所述的草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于所述步骤（3）：每天定时往100 ml含铁硫化矿物和嗜酸铁硫氧化细菌浸出体系中加入1ml 0.4-8 g/L的草酸溶液。