[发明专利]一种用于防水汽腐蚀的变压器在审
申请号: | 201610020686.X | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN105510406A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 邱林新 | 申请(专利权)人: | 邱林新 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 赵永强 |
地址: | 315202 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 水汽 腐蚀 变压器 | ||
技术领域
本发明属于变压器领域,更具体涉及一种用于防水汽腐蚀的变压器。
背景技术
变压器是利用电磁感应的原理来改变交流电压得装置,主要由初级线圈、次级线圈等构 成。主要功能有电压变换、电流变换等。
由于变压器属于电学装置,其工作环境周边水蒸气会对设备造成腐蚀等影响,然而,现 有变压器产品一般不具备对其周边环境水蒸气的检测功能。
发明内容
本发明针对背景技术存在的问题,提供一种用于防水汽腐蚀的变压器。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种用于防水汽腐蚀的变压器,其特征在于,所述变压器的柜体外部安装有湿敏传感器 模块,变压器属于电学装置,其工作周边环境中湿度会对其产生很大影响,严重者会导致人 员、财产等损失,该湿敏传感器模块基于碳纳米管,能够快速检测周边环境中水蒸气的含量, 对变压器的正常工作起到保护和预警作用。
该湿敏传感器模块包括从下到上依次布设的重掺杂硅片、紧贴重掺杂硅片的SiO2层、碳 纳米管层、位于SiO2层间的下电极和位于碳纳米管层上的上电极,所述碳纳米管层生长于SiO2层上;所述下电极上有金属薄膜,所述金属薄膜从内到外依次为具有黏附性的Cr层、导电导 热的Cu层和作为电极层的Au层,所述Cr层、Cu层和Au层的厚度依次为55nm、250nm 和500nm;所述碳纳米管层采用催化剂和/或光刻法实现其定域生长,生长后的所述碳纳米管 层采用等离子体使其产生羟基修饰,碳纳米管层在等离子体羟基修饰之前经过了加入微量钨 粉的醋酸和双氧水混合溶液的处理;所述金属薄膜的表面紧贴有感测细菌生长的细菌酶膜层, 该细菌酶膜层与金属薄膜一起形成感测水分的细菌湿敏感测器;所述下电极和上电极上连接 有一个用于和客户端通信连接的微控处理器。
优选地,所述湿敏传感器的制作包括以下步骤:
S1:SiO2层制作:取所述重掺杂硅片,将其放入管式炉中,按照10℃/min的速率升温 到500℃,保温12h,然后自然冷却至室温,即可在重掺杂硅片表面形成SiO2层;
S2:下电极制作:将步骤S1中制得的有SiO2层的重掺杂硅片依次使用丙酮、乙醇、去 离子水清洗15min后烘干,在其表面旋涂光刻胶,使用下电极掩模版对其曝光,120℃烘干 2min后显影、烘干,在CHF3气氛下干法刻蚀SiO2层,刻蚀30min,将刻蚀SiO2层清洗后 的重掺杂硅片放入磁控溅射仪中,在低于1.5×10-3pa真空下依次磁控溅射Cr层、Cu层和Au 层;将磁控溅射好Cr层、Cu层和Au层的下电极(1)表面固定上细菌酶膜,然后清洗光刻 胶;所述重掺杂硅片的尺寸大小为2cm×2cm;
S3:气喷催化剂薄膜,步骤如下:
a.使用Fe/Ni纳米粒子作为碳纳米管生长的催化剂,首先,对带有下电极的重掺杂硅片旋 涂光刻胶,采用催化剂的定域掩模版对其进行曝光,然后经过显影,清洗备用;
b.配制催化剂Fe/Ni的分散液:分别称取200mg、50mg的Fe纳米粒子和Ni纳米粒子, 将其加入60ml的98%H2SO4和40ml的69%的HNO3混合溶液中,在80℃水浴中超声3 h,然后用去离子水清洗后过滤,得到干燥的Fe/Ni混合纳米粒子,然后称取100mg的Fe/Ni 纳米粒子,加入500ml的去离子水中,充分搅拌后得到Fe/Ni混合纳米粒子的分散液;
c.使用高纯氮气作为气喷载体,调节喷笔与重掺杂硅片之间的水平和垂直距离,使分散 液的溶剂到达基片上时刚好挥发为准,气喷5次,每次气喷20s,使形成一层均匀的厚度约 为20nm的催化剂Fe/Ni的混合纳米粒子薄膜;
S4:CVD法生长碳纳米管:
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