[发明专利]一种恒定跨导轨对轨电压比较器在审
申请号: | 201610020828.2 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105680833A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 廖建平;林桂江;杨瑞聪;刘玉山;沈滨旭;任连峰;杨凤炳 | 申请(专利权)人: | 厦门新页微电子技术有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361008 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 恒定 导轨 电压 比较 | ||
1.一种恒定跨导轨对轨电压比较器,包括偏置电路、双差分输入电路、有源负 载及输出缓冲电路;所述偏置电路、双差分输入电路、有源负载及输出缓冲 电路顺次电性连接;所述偏置电路用于提供偏置电流;所述双差分输入电路 与所述有源负载连接,用于实现输入共模电压范围内达到轨对轨及在整个共 模输入范围内跨导恒定;所述输出缓冲电路,通过采用两级反相器电路实现 比较信号输出;其中,所述双差分输入电路包括NMOS差分输入对、PMOS 差分输入对、NMOS差分输入对对应的电流源、以及PMOS差分输入对对应 的电流源,NMOS差分输入对和PMOS差分输入对并联连接。
2.根据权利要求1所述的一种恒定跨导轨对轨电压比较器,其特征在于:所述 双差分输入电路包括电压信号正极输入端Vinp、电压信号负极输入端Vinn、 PMOS管MP2、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP12、NMOS管 MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN12和NMOS管MN3;PMOS管MP2 的源级接电源电压VDD,PMOS管MP2的漏级与PMOS管MP7的源级、 PMOS管MP12的源级以及NMOS管MN6的源级相连;PMOS管MP2的栅 极与PMOS管MP1的栅极以及有源负载相连,PMOS管MP6的栅极与NMOS 管MN6的栅极以及电压信号负极输入端Vinn相连,PMOS管MP6的漏极 与有源负载相连,PMOS管MP6的源级与PMOS管MP12的源级连接,MOS 管MP7的栅极与NMOS管MN7的栅极以及电压信号正极输入端Vinp相连, PMOS管MP7的漏极与有源负载相连,PMOS管MP7的源级与PMOS管 MP12的源级连接,PMOS管MP12的栅级与漏极连接,PMOS管MP12的 栅级与NMOS管MN12的栅级连接,PMOS管MP12的漏级与NMOS管 MN12的漏级连接,NMOS管MN12的栅级与漏极连接,NMOS管MN12 的源级与NMOS管MN6的源级、NMOS管MN7的源级以及NMOS管MN3 的漏级连接,NMOS管MN6的栅级接电压信号负极输入端Vinn,NMOS管 MN6的漏级与有源负载相连,NMOS管MN7的栅级接电压信号正极输入端 Vinp,NMOS管MN7的漏级与有源负载相连,NMOS管MN3的栅极与NMOS 管MN2的栅极连接,NMOS管MN3的源级接地。
3.根据权利要求1的一种恒定跨导轨对轨电压比较器,其特征在于:所述偏置 电路包括偏置电流源Ibs、NMOS管MN1、NMOS管MN2和PMOS管MP1; NMOS管MN1的漏极接偏置电流源Ibs;NMOS管MN1的漏极和栅连; NMOS管MN1的源级接地;NMOS管MN1的栅极与NMOS管MN2的栅 极相连;NMOS管MN2的栅极与双差分输入电路相连;NMOS管MN2的 源级接地;NMOS管MN2的漏极与PMOS管MP1的漏极相连;PMOS管 MP1的源极接电源电压VDD;PMOS管MP1的漏极和栅极相连。
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