[发明专利]一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装技术

权利要求书

1.一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装方法，其特征在于，首先制备氟化锂缓冲层，然后依次制备聚乙烯醇封装层和氟化锂封装层；其中氟化锂缓冲层覆盖于有机光电子器件之上，第一聚乙烯醇封装层覆盖于氟化锂缓冲层之上，第一氟化锂封装层覆盖于第一聚乙烯醇封装层之上，氟化锂封装层和聚乙烯醇封装层不断交替重叠至第N氟化锂封装层，N为大于等于1的整数；

制备方法包括以下步骤：

①在有机半导体器件之上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂缓冲层，其尺度适当，以使待封装有机半导体器件的电极露在外面，而其有机半导体活性层被完全封装在里面；

②在氟化锂缓冲层上用旋涂法制备聚乙烯醇封装层；

③进行干燥处理；

④在聚乙烯醇封装层上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂封装层；

⑤重复上述步骤②-④，直至在氟化锂封装层上再制备(N-1)层的聚乙烯醇/氟化锂交替薄膜；

⑥在200℃温度下对封装器件加热2小时，对聚乙烯醇进行交联。