[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

异质结结构，其具有由GaN形成的电子传输层与由In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N形成的电子供给层，其中，0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤1-x1-y1＜1；

源极电极，其被设置在所述电子供给层的表面上；

漏极电极，其被设置在所述电子供给层的表面上，并且被配置在从所述源极电极分离的位置处；

In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N的p型层，其被设置在位于所述源极电极与所述漏极电极之间的所述电子供给层的表面上，其中，0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤1-x2-y2≤1；

栅电极，其与所述p型层相接；

绝缘层，其以与所述栅电极分离的方式而对在所述源极电极与所述p型层之间露出的所述电子供给层的表面和/或在所述漏极电极与所述p型层之间露出的所述电子供给层的表面进行覆盖，

在所述绝缘层的至少一部分中固定有正电荷，

以所述绝缘层带正电的方式在所述绝缘层中分散地存在有Ga。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在对在所述漏极电极与所述p型层之间露出的所述电子供给层的表面进行覆盖的所述绝缘层的所述漏极电极侧固定有正电荷，在所述绝缘层的所述p型层侧未固定有正电荷。

3.一种制造方法，其为权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，包括：

将In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N的p型宽域层形成在所述电子供给层上的工序，其中，0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤1-x2-y2≤1；

通过对所述p型宽域层的一部分进行蚀刻而使所述电子供给层的表面露出，从而在所述电子供给层上形成所述p型层的工序；

形成所述绝缘层的工序，所述绝缘层以与所述栅电极分离的方式而对在所述源极电极与所述p型层之间露出的所述电子供给层的表面和在所述漏极电极与所述p型层之间露出的所述电子供给层的表面中的至少一方进行覆盖，在所述绝缘层的至少一部分中固定有正电荷；

通过对形成所述绝缘层时的温度进行调节，使Ga从所述电子供给层向所述绝缘层移动，并在所述绝缘层中分散地存在有Ga，从而使所述绝缘层带正电的工序。