[发明专利]一种电子材料中钨元素含量的检测方法在审
申请号: | 201610021786.4 | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN106970069A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 胡德霖;胡醇;费沁妮;赵杰;肖利军 | 申请(专利权)人: | 苏州电器科学研究院股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/73 | 分类号: | G01N21/73;G01N1/40 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 材料 元素 含量 检测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种电子材料中钨元素含量的检测方法,属于电子电气产品中有毒有害物质检测技术领域。
背景技术
钨是非常硬、灰黑色至白色的过渡金属,可以制成很细的丝和特种合金钢。钨的物理特征非常强,是所有合金金属中熔点最高的一种。纯钨主要用在电器和电子设备,它的许多化合物和合金也有很多用途等,对于电子材料中是否存在钨元素以及钨元素的含量是多少,需要一种检测方法来检测。
发明内容
针对电子材料中需要检测钨元素的含量,本发明提供一种可以定量检测电子材料中钨元素含量的方法。
本发明包括使用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)测试电子材料中钨元素的含量以及对相关电子材料样品前处理时用配有高压消解罐的微波消解系统进行加酸消解。
附图说明
附图1为本发明实施例的操作流程图。
具体实施方式
一下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的优点与功效。本发明也可通过其他不同的具体实例加以实施或应用,本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用,在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
本发明实施例的操作流程图,如图1所示,称取0.2g样品于消解罐中,精确至0.1mg,分别缓慢加入9ml左右的浓硝酸及3ml左右的氢氟酸作为消解剂,密封并将消解罐放入微波系统中以适当的升温程序加热,消解完全后冷却至室温,过滤转至100ml容量瓶中,去离子水定容至刻度,摇匀待测,采用相同的试剂,在相同的条件下进行空白实验,再配置好标准溶液,用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)定量分析,建立标准曲线后,测定空白、样品溶液,依据每个试样的信号读数,由标准曲线查得所对应的浓度。
本发明的样品前处理中,加入的消解剂也可根据样品氧化程度的需要分别选加其他试剂(如加入2±2ml浓HCl至硝酸和盐酸的混合物中;加入0.1~2ml 30%的双氧水;加入0~5ml的二次去离子水),消解完冷却的过程中,需加入适量硼酸与氟离子络合,以保护石英等离子火炬。
上述实施例仅为示例性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施进行修饰与变化。因此,本发明的权利保护范围,应以权利要求书的范围为依据。
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