[发明专利]一种致密的小晶粒YIG陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201610022401.6 | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN105669181B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 郑鹏;栗星星;郑辉;邓江峡;郑梁;秦会斌 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/40 | 分类号: | C04B35/40;C04B35/626;C04B35/64 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489 | 代理人: | 吴建锋 |
地址: | 310018 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 致密 晶粒 yig 陶瓷 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及钇铁石榴石型铁氧体材料技术领域,尤其涉及一种致密的小晶粒YIG陶瓷的制备方法。
背景技术
YIG(Y3Fe5O12)是一种石榴石型结构的铁氧体,具有共振线宽窄,介电损耗小的特点,广泛的应用于微波铁氧体器件中。随着电子技术的发展,对电子器件的性能要求越来越高,进而对铁氧体材料的性能也提出了更高的要求。目前,YIG陶瓷的制备主要通过传统的固相法,通常通过提高烧结温度来提高YIG陶瓷的致密性,但是烧结温度的提高同时会带来晶粒尺寸的增大,使陶瓷内部结构存在较多气孔,从而不能制备出致密的YIG陶瓷,导致饱和磁化强度低于理论值,大大降低了YIG陶瓷的性能。
故,针对目前现有技术中存在的上述缺陷,实有必要进行研究,以提供一种方案,解决现有技术中存在的缺陷。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种致密的小晶粒YIG陶瓷的制备方法,能够得到致密的小晶粒YIG陶瓷,且其饱和磁化强度更接近YIG陶瓷的理论值。
为了克服现有技术存在的缺陷,本发明提供以下技术方案:
一种致密的小晶粒YIG陶瓷的制备方法,包括以下步骤:
配料:将氧化钇(Y2O3)和氧化铁(Fe2O3)按照3:5的分子比例进行配比,并混合均匀得到原料;
第一次球磨:将质量百分比为20%-25%的原料、40%-45%的球以及30%-35%的酒精置于球磨机中进行湿法球磨,持续球磨12-24小时,从而使原料混合均匀形成浆料;
烘干:将上述浆料置于恒温箱中烘烤,去除酒精,并在研钵中研磨,得到粉料;
预烧:将粉料置于马弗炉中预烧,预烧温度为1100℃-1200℃,并保持6小时,在该预烧过程中,原料发生化学反应(3Y2O3+5Fe2O3=2Y3Fe5O12),并得到YIG初级粉料;
第二次球磨:将质量百分比为20%-25%的YIG初级粉料、40%-45%的球以及30%-35%的酒精进行混合并置于球磨机中进行湿法球磨,持续球磨12-24小时,得到YIG浆料;
烘干:将经上述球磨后得到的YIG浆料再次置于恒温箱中烘干,并在研钵中研磨成粉料,得到YIG粉料;
造粒成型:将浓度为8%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂掺入YIG粉料中,掺入的粘合剂的质量是粉料质量的5%-10%,在研钵中混合均匀;将混合后的YIG粉料置于模具中压制成生坯;将生坯在研钵中磨碎成粉料,通过80目和140目的筛子过筛,取80目和140目筛子中间层的粉料,得到了颗粒大小适合的YIG粉料;将粉料置于模具中,在200MPa的压强下压制成生坯;
排胶:将生坯置于马弗炉中在650℃的温度下煅烧3小时,排除生坯中的PVA;
烧结:将排胶后的生坯置于马弗炉中,以10℃/min的升温速度将样品加热至温度T1,所述温度T1在1350℃至1400℃之间,然后立即以25℃/min的降温速度快速降温至温度T2,所述温度T2在1200℃至1300℃之间,并在温度T2条件下保持12至24小时,再以自然降温至室温,最终得到了致密的小晶粒YIG陶瓷。
优选地,在所述第一次球磨过程中,所述原料的质量百分比为20%,所述球的质量百分比为45%,所述酒精的质量百分比为35%。
优选地,在所述预烧过程中,所述预烧温度为1200℃。
优选地,在所述烧结过程中,所述T1为1350℃。
优选地,在所述烧结过程中,所述T2为1300℃。
与现有技术相比较,本发明的技术方案,通过两次球磨形成颗粒更小的YIG,并通过两次压制形成生坯,从而保证YIG粉料颗粒的均匀性;同时在烧结过程中通过快速冲击至一个较高的温度(T1),继而快速降温至一个较低温度(T2)并长时间保持在该温度,通过抑制YIG陶瓷晶界迁移,同时保持YIG陶瓷晶界扩散活跃,实现了致密的小晶粒YIG陶瓷的制备。
附图说明
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