[发明专利]一种有序介孔碳化硅的制备方法有效
申请号: | 201610022824.8 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105502403B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 任军;靳永勇;孙伟;史瑞娜;王娟;王婧;郝盼盼 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C01B32/977 | 分类号: | C01B32/977 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人: | 张彩琴 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有序 碳化硅 制备 方法 | ||
1.一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于,
其步骤为:
㈠制备有序介孔SiO2/C复合材料
以三嵌段共聚体结构导向剂F127做模板剂,以正硅酸乙酯做硅源,以酚醛树脂低聚物做碳源;
所述制备有序介孔SiO2/C复合材料的步骤为:
①将F127溶于无水乙醇中,加入盐酸溶液,40℃恒温搅拌1h;后依次加入正硅酸乙酯以及酚醛树脂低聚物的乙醇溶液,40℃恒温搅拌2h,获得混合溶液;
②混合溶液置于容器内,室温下放置5~8h,然后置于100℃恒温烘箱内24h,容器内形成黄色膜,刮取磨成细粉;
③将该细粉置于管式炉内,以1℃/min升温至350℃且保温3h,再以1℃/min升温至600℃,随后以5℃/min升温至900℃且保温2h,得到黑色的有序介孔SiO2/C复合材料;
㈡微波还原制备有序介孔碳化硅
有序介孔SiO2/C复合材料置于微波炉中间区域,调整位置,直至红外测温探头测得复合材料的最大温度点;抽真空至真空度为0.09MPa,通入氮气至真空度为0.03MPa,抽真空、通氮气步骤反复进行两次,后再次抽真空至真空度为0.09MPa,通入氮气至真空度为0.07MPa;开启微波炉冷却水循环装置,打开微波控制开关,调节微波功率使得炉内升温至1300℃±10℃,恒温反应20min;关闭微波控制开关,停止加热,抽真空至真空度为0.09MPa,炉内自然冷却至室温后,关闭循环水;打开放空阀,待微波炉内压力达到大气压强时,炉门自动打开,取出,获得粉末状的有序介孔碳化硅。
2.根据权利要求1所述的一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于:运用小角度X-射线粉末衍射在0.8º处出峰,说明合成产物是规整有序的介孔材料。
3.根据权利要求1所述的一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于:运用比表面及孔径分析仪得到的吸-脱附等温线,吸-脱附等温线符合H1型回滞环,H1型回滞环反映的是孔径分布均匀的圆筒状孔,由孔径分布曲线看出孔径集中在6.3nm,吸-脱附等温线和孔径分布曲线共同说明合成的碳化硅是有序介孔结构。
4.根据权利要求1所述的一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于,步骤㈡获得的有序介孔碳化硅粉末随后进行了除杂处理,该除杂处理包括高温除碳处理以及酸洗除硅处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学,未经太原理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610022824.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。