[发明专利]一种有序介孔碳化硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610022824.8 申请日: 2016-01-14
公开(公告)号: CN105502403B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 任军;靳永勇;孙伟;史瑞娜;王娟;王婧;郝盼盼 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C01B32/977 分类号: C01B32/977
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 代理人: 张彩琴
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 有序 碳化硅 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于,

其步骤为:

㈠制备有序介孔SiO2/C复合材料

以三嵌段共聚体结构导向剂F127做模板剂,以正硅酸乙酯做硅源,以酚醛树脂低聚物做碳源;

所述制备有序介孔SiO2/C复合材料的步骤为:

①将F127溶于无水乙醇中,加入盐酸溶液,40℃恒温搅拌1h;后依次加入正硅酸乙酯以及酚醛树脂低聚物的乙醇溶液,40℃恒温搅拌2h,获得混合溶液;

②混合溶液置于容器内,室温下放置5~8h,然后置于100℃恒温烘箱内24h,容器内形成黄色膜,刮取磨成细粉;

③将该细粉置于管式炉内,以1℃/min升温至350℃且保温3h,再以1℃/min升温至600℃,随后以5℃/min升温至900℃且保温2h,得到黑色的有序介孔SiO2/C复合材料;

㈡微波还原制备有序介孔碳化硅

有序介孔SiO2/C复合材料置于微波炉中间区域,调整位置,直至红外测温探头测得复合材料的最大温度点;抽真空至真空度为0.09MPa,通入氮气至真空度为0.03MPa,抽真空、通氮气步骤反复进行两次,后再次抽真空至真空度为0.09MPa,通入氮气至真空度为0.07MPa;开启微波炉冷却水循环装置,打开微波控制开关,调节微波功率使得炉内升温至1300℃±10℃,恒温反应20min;关闭微波控制开关,停止加热,抽真空至真空度为0.09MPa,炉内自然冷却至室温后,关闭循环水;打开放空阀,待微波炉内压力达到大气压强时,炉门自动打开,取出,获得粉末状的有序介孔碳化硅。

2.根据权利要求1所述的一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于:运用小角度X-射线粉末衍射在0.8º处出峰,说明合成产物是规整有序的介孔材料。

3.根据权利要求1所述的一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于:运用比表面及孔径分析仪得到的吸-脱附等温线,吸-脱附等温线符合H1型回滞环,H1型回滞环反映的是孔径分布均匀的圆筒状孔,由孔径分布曲线看出孔径集中在6.3nm,吸-脱附等温线和孔径分布曲线共同说明合成的碳化硅是有序介孔结构。

4.根据权利要求1所述的一种有序介孔碳化硅的制备方法,其特征在于,步骤㈡获得的有序介孔碳化硅粉末随后进行了除杂处理,该除杂处理包括高温除碳处理以及酸洗除硅处理。

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