[发明专利]一种光学模铁磁共振增强的多层膜及其制备方法

权利要求书

1.一种光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，包括第一单轴磁各向异性层、非磁性隔离层和第二单轴磁各向异性层，所述非磁性隔离层夹设在所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层之间，所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层的易磁化轴方向一致，磁矩取向相反，所述非磁性隔离层的厚度配置为使所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层反铁磁耦合；

其中，所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，所述第一单轴磁各向异性层和/或所述第二单轴磁各向异性层的厚度为

3.根据权利要求1或2所述的光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，所述第一单轴磁各向异性层和/或所述第二单轴磁各向异性层包括铁磁元素和掺杂元素，所述铁磁元素呈均匀分布，所述掺杂元素沿一方向呈梯度分布。

4.根据权利要求3所述的光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，所述铁磁元素包括Fe、Ni、Co中的一种或一种以上的组合。

5.根据权利要求3所述的光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，所述掺杂元素包括非金属元素、金属元素和/或氧化物中的组合元素。

6.根据权利要求5所述的光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，所述掺杂元素中的非金属元素包括B、C、N、O、Si中的一种或一种以上的组合；所述掺杂元素中的金属元素包括Hf、Zr、Al、Nb、Ta、Ru、V、Mo、W、Cr中的一种或一种以上的组合；所述掺杂元素中的氧化物包括Al₂O₃、MgO、ZrO₂、ZnO、HfO₂、SiO₂、TiO₂、Ta₂O₅、V₂O₅、Nd₂O₃、Cr₂O₃、(Ba,Sr)TiO₃中的一种或一种以上的组合。

7.根据权利要求1或2所述的光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，所述非磁性隔离层包括金属和/或氧化物。

8.根据权利要求7所述的光学模铁磁共振增强的多层膜，其特征在于，所述非磁性隔离层中的金属包括Ru、Ta、Au、Hf、Cr、Nb中的一种或一种以上的组合；所述非磁性隔离层中的氧化物包括Al₂O₃、MgO、SiO₂中的一种或一种以上的组合。

9.一种光学模铁磁共振增强的多层膜的制备方法，采用真空磁控溅射仪，其特征在于，所述方法包括：

步骤S100：在衬底上溅射第一单轴磁各向异性层；

步骤S200：在所述第一单轴磁各向异性层上均匀溅射一定厚度的非磁性隔离层；

步骤S300：在所述非磁性隔离层上溅射与所述第一单轴磁各向异性层的易磁化轴方向一致的第二单轴磁各向异性层，且非磁性隔离层的厚度配置为使所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层之间满足反铁磁耦合。