[发明专利]同相时延升压电路在审
| 申请号： | 201610024692.2 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105610320A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 方镜清 | 申请（专利权）人： | 中山芯达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 邹常友 |
| 地址： | 528400 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相时延 升压 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种同相时延升压电路，其特征在于：包括PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4和滤波电容C1、C2，所述PMOS管Q1与NMOS管Q2串联连接于第一电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至电路的输入端；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4串联连接于第二电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至所述PMOS管Q1与NMOS管Q2的串联结点，该串联结点处设置有所述的滤波电容C1；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4的串联结点连接至电路的输出端，且于电路的输出端处设置有所述的滤波电容C2；所述第二电源端的电压大于第一电源端的电压。
2.根据权利要求1所述的同相时延升压电路，其特征在于：所述PMOS管Q1的源极连接所述第一电源端，其漏极连接所述NMOS管Q2的源极，所述NMOS管Q2的漏极连接地端；所述PMOS管Q3的源极连接所述第二电源端，其漏极连接所述NMOS管Q4的源极，所述NMOS管Q4的漏极连接地端。
3.根据权利要求2所述的同相时延升压电路，其特征在于：所述第一电源端的电压为+5V，所述第二电源端的电压为+10V至+25V。
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