[发明专利]刷片清洗机在审
申请号: | 201610024763.9 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN105609448A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 林楠;赵晓亮;付永旭 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B1/04;B08B3/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 | ||
1.一种刷片清洗机,用于清洗硅片,其特征在于:具有多个清洗单元,每个清洗单 元包含:
多个片刷,包含正面刷、背面刷;
多个喷嘴,包含正面高压水洗喷嘴、正面喷淋水洗喷嘴、背面喷淋水洗喷嘴、边缘 高压水洗喷嘴;
正面刷背面刷分别位于硅片两面且与硅片接触,硅片旋转使片刷与硅片之间产生相 对运动,从而片刷对硅片表面产生清洁作用;
硅片翻转装置,用于翻转硅片的正反面;
光源,发出可见光;
光接收单元,与光源分别位于硅片直径方向的两侧,光接收单元接收光源发出的可 见光;
光量分析单元,接收光接收单元的光量信息;
片刷高度分析单元,通过分析光量分析单元的光量信息数据,产生相应的控制数据;
驱动步进单元,接收片刷高度分析单元的控制数据,驱动片刷的高度,从而保证片 刷与硅片的接触状态。
2.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的正面高压水洗喷嘴,用于 高压纯水冲洗硅片表面,相对硅片表面位置从周边沿弧度过圆心轨迹移动,高压压力范 围为5.5~8.5Mpa。
3.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的正面喷淋水洗喷嘴,用于 纯水喷淋硅片表面,相对硅片表面位于圆心及半径的1/2处,相应的喷淋流量范围为400 ±100ml/min。
4.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的背面喷淋水洗喷嘴,用于 纯水喷淋硅片背面,相对硅片背面位置位于圆心及半径的1/2处,相应的喷淋流量范围 为200±50ml/min。
5.如权利要求4所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的边缘高压水洗喷嘴,用高 压纯水冲洗硅片边缘,相对平行于硅片表面,正对硅片边缘,相应高压压力范围为3.5~ 5.5Mpa。
6.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的正面刷,用于刷洗硅片正 面,相对硅片从圆心至距硅片边缘5mm处的直线运动。
7.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的背面刷,用于刷洗硅片背 面,相对硅片从圆心至距硅片边缘5mm处的直线运动。
8.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的硅片翻转装置,用于将硅 片翻转,使硅片的正反面互换。
9.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的光源,位于硅片表面直径 一侧0~0.5mm高度的位置,光源的光传到硅片直径另一侧的光量接收单元,光量接收 单元分析光量数据传给片刷高度控制单元,驱动控制单元根据片刷高度控制单元的数据 控制片刷的相对于硅片的高度。
10.如权利要求1所述的刷片清洗机,其特征在于:所述的刷片清洗机,用于清洗6~ 18英寸的硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造