[发明专利]一种通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造工艺领域领域，特别是涉及一种通过 调整SONOS[以ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)为存储介质的闪存存储器]字 线读电压增加flash(闪存)窗口的方法。

背景技术

目前存储器都普遍存在因为工艺差异造成的存储器件VT(阈值电压) 窗口漂移的现象，这种差异可以存在于一片晶圆内，一个批次内，甚至一 个平台内。由于一个平台的测试条件是既定的，正常情况下不会因为平台 内的某个晶圆存储器件VT窗口漂移而作调整。那么，为了兼顾平台内产品 正常存在的存储器件VT窗口漂移，平台设计时就要考虑到最差的情况，大 大增加设计难度以及影响成品良率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种通过调整SONOS字线读电压增加 flash窗口的方法，能够优化flash产品因为工艺波动导致的窗口漂移的情 况。

为解决上述技术问题，本发明的通过调整SONOS字线读电压增加flash 窗口的方法，包括如下步骤：

步骤1，使用测试程序对所有芯片进行VTP(SONOS管在写入状态时的 VT)变化范围的测试；

步骤2，使用测试程序对所有芯片进行VTE(SONOS管在擦除状态时的 VT)变化范围的测试；

步骤3，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应 区间分组的芯片分入该组；

步骤4，分别对不同的区间分组进行相应不同的SONOS字线读电压调整 或者不调整，重新读取新的SONOS字线读电压，使所有分组的芯片的VTE 值都向同一数值靠拢，分布收敛；

步骤5，重新使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；

步骤6，重新使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试。

本发明通过调整SONOS字线读操作电压来增加flash窗口，能够优化 flash产品因为工艺波动导致的窗口漂移的情况。例如在SONOS结构的存储 器平台中，由于晶圆在生长ONO(oxide-nitride-oxide氧化层-氮化层-氧 化层)时分布在炉管的不同位置以及同一枚晶圆中心和边缘存在温度等因 素的差异，导致不同的芯片拥有不同的flash窗口，影响flash的整体窗 口和良率。本发明可以将窗口漂移问题很好的解决从而提升产品良率。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是同一产品的N个不同芯片所对应的VTP/VTE分布图；

图2是应用本发明后，不同芯片间的VTP/VTE分布图；

图3是2TSONOS存储器的一个基本存储单元结构图；

图4是所述通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法流程图。

具体实施方式

所述通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法，能应用于 SONOS结构的存储器平台中(结合图3)。该SONOS存储器产品通过对比参 考电流来判断逻辑的“1”与“0”。读操作时SONOS字线上的电压在一定 范围内可调整，并且这种调整是非挥发性的(参见下表)。