[发明专利]MOS器件及工艺方法

权利要求书

1.一种MOS器件，包含衬底及覆盖在衬底之上的多晶硅栅极，衬底中具有场氧，场 氧之间具有轻掺杂源漏区，以及MOS器件的源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，多 晶硅栅极和栅氧化层覆盖在沟道区之上，接触孔分别与源区及漏区接触将其引出；其特 征在于：所述多晶硅栅极两侧具有双层侧墙，多晶硅栅极上方覆盖金属硅化物，源漏区 域上不形成金属硅化物，所述的双侧侧墙高度高于金属硅化物。

2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于：所述的双层侧墙材质为氮化硅。

3.制造如权利要求1所述的MOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的步骤：

步骤一，在硅衬底上形成场氧，再依次淀积一层氧化硅、多晶硅及第一层氮化硅；

步骤二，利用氮化硅做硬掩膜定义图形，刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极，再进行轻掺 杂源漏的注入；

步骤三，在整个器件表面淀积第二层氮化硅；

步骤四，对第二层氮化硅进行刻蚀形成侧墙；

步骤五，离子注入形成源区及漏区；

步骤六，在整个器件表面淀积第三层氮化硅；

步骤七，去除多晶硅栅极之上的氮化硅；

步骤八，在多晶硅栅极上形成金属硅化物；

步骤九，形成接触孔，将有源区和栅极引出。

4.如权利要求3所述的MOS器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤一中，采用化 学气相淀积形成多晶硅层。

5.如权利要求3所述的MOS器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤三中，采用化 学气相淀积形成第二层氮化硅。

6.如权利要求3所述的MOS器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤七中，利用等 离子体刻蚀去除多晶硅栅极上方的氮化硅，其他区域的氮化硅保留。