[发明专利]碲镉汞材料的表面清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及红外碲镉汞器件制造技术，具体指碲镉汞材料的表面清洗方 法。

背景技术

半导体清洗技术的主要目的是：在对衬底不产生损伤或退化性改变的条件 下，从半导体表面去除微粒或化学沾污。半导体材料表面的微粒或化学沾污会 对半导体器件的性能造成不利影响，包括降低少数载流子寿命，形成缺陷，增 加表面漏电流，降低薄膜附着力等等。常规碲镉汞清洗技术是将碲镉汞材料依 次在MOS级三氯甲烷、MOS级乙醚、MOS级丙酮、MOS级乙醇和溴-甲醇溶 液中处理，该技术存在三个主要问题：一、对离子沾污清洗效果一般。常规清 洗技术处理的碲镉汞表面平带电压大致在-9V左右，表面固定电荷密度为 10¹²cm^-2量级，由此导致器件性能降低。二、易引入新污染。新污染主要来自 于金属镊子和容器。三、工艺效果不稳定。工艺效果的不稳定主要是因为常规 清洗技术采用人工操作。

发明内容

为了解决常规碲镉汞清洗技术存在的问题，本发明提供了一种新的碲镉汞 表面清洗方法。

本发明采用了如下方所述的清洗步骤：

1)在室温条件下，将碲镉汞材料浸入MOS级三氯乙烯溶液，进行功率 40～100W、频率750～950KHz的兆声清洗，清洗时间为3～10min。

2)将碲镉汞材料浸入冰点的溴和乙醇混合液中，溴与乙醇体积比为1: (5～20)，腐蚀时间为60～120s。

3)在室温条件下，将碲镉汞材料浸入清洗液a进行兆声清洗，清洗液a 是氢氧化铵和双氧水的混合液，其体积比为：NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝(1～10):1:120， 兆声功率为40～100W，兆声频率为750～950KHz，清洗时间为3～15min。

4)在室温条件下，将碲镉汞材料浸入清洗液b进行兆声清洗，清洗液b 是盐酸和双氧水的混合液，其体积比为：HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:(5～15)，兆声功 率为40～100W，兆声频率为750～950KHz，清洗时间为10～20min。

5)对碲镉汞材料进行氮气干燥。

本发明具有以下的优点：

1.清洗效果稳定。

2.新污染引入少。

3.对各种碲镉汞表面沾污能有效去除，特别是离子沾污。

附图说明

图1为碲镉汞表面清洗技术的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图1对本发明的具体实施方式作进一步说明：

实施例1：

首先，第一步处理是在室温条件下将碲镉汞浸入MOS级三氯乙烯中兆声 清洗。兆声功率为40W，兆声频率为750KHz，清洗时间为3min。在第一步完 成后，需要迅速进行第二步处理，即溴-乙醇溶液腐蚀。将碲镉汞浸入冰点的 溴和乙醇混合液中，溴和乙醇体积比为1:5，腐蚀时间为60s。然后，需要进 行第三步处理，即清洗液a的兆声清洗。在室温条件下，把碲镉汞浸入清洗液 a中进行兆声清洗，清洗液a是氢氧化铵和双氧水的混合液，其体积比为： NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:1:120，兆声功率为40W，兆声频率为750KHz，清洗时间 为3min。最后，在室温条件下，将碲镉汞浸入清洗液b中进行兆声清洗，清 洗液b是盐酸和双氧水的混合液，其体积比为：HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5，兆声功 率为40W，兆声频率为750KHz，清洗时间为10min。

实施例2：