[发明专利]阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610025575.8 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105629597B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 孙超超;刘华锋;赵生伟;张凯;杨磊;叶路路;吕景萍;王超;胡重粮;杨盟;丁多龙;顺布乐;谢霖;李瑶;孙士民 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 显示 驱动 方法 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括位于衬底上的晶体管器件层,其特征在于,还包括依次层叠的第一透明导电层、第一绝缘层、第二透明导电层、第二绝缘层和第三透明导电层;
所述第一透明导电层在显示区域内覆盖所述晶体管器件层;所述第二透明导电层包括触控电极的图形;所述第三透明导电层包括像素电极的图形;
所述显示区域中的任一像素区域内,所述像素电极通过设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的过孔连接所述晶体管器件层的像素电极连接端;所述第一透明导电层在所述过孔处设有开口;
所述显示区域中的任一像素区域内,所述像素电极与所述第一透明导电层交叠形成该像素区域内的第一存储电容,所述像素电极与所述触控电极交叠形成该像素区域内的第二存储电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述晶体管器件层包括依次形成的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间介质层、源漏金属层和钝化层;所述显示区域中的任一像素区域内,所述钝化层的开口暴露部分所述源漏金属层,以形成所述像素电极连接端。
3.一种如权利要求1至2中任意一项所述的阵列基板的显示驱动方法,其特征在于,包括:
在显示阶段内,向所述第二透明导电层中的触控电极和所述第一透明导电层施加公共电压;
在触控阶段内,向所述第二透明导电层中的触控电极施加触控电压信号,或者接收来自所述第二透明导电层中的触控电极的触摸感测信号;
其中,每一帧内的所述显示阶段与所述触控阶段在时间上分开。
4.根据权利要求3所述的显示驱动方法,其特征在于,所述显示驱动方法还包括:
在所述触控阶段内,向所述第一透明导电层施加公共电压。
5.根据权利要求3所述的显示驱动方法,其特征在于,所述显示驱动方法还包括:
在所述触控阶段内,将所述第三透明导电层中的像素电极置为浮接状态。
6.一种阵列基板的制造方法,包括在衬底上形成晶体管器件层的步骤,其特征在于,还包括:
形成在显示区域内覆盖所述晶体管器件层的第一透明导电层;所述第一透明导电层在用于连接所述晶体管器件层的像素电极连接端的过孔处设有开口;
形成覆盖所述第一透明导电层的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成包括触控电极的图形的第二透明导电层;
形成覆盖所述第二透明导电层和所述第一绝缘层的第二绝缘层;
在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成所述过孔;
形成包括像素电极的图形的第三透明导电层;在所述显示区域中的任一像素区域内,所述像素电极通过所述过孔连接所述晶体管器件层的像素电极连接端;
所述显示区域中的任一像素区域内,所述像素电极与所述第一透明导电层交叠形成该像素区域内的第一存储电容,所述像素电极与所述触控电极交叠形成该像素区域内的第二存储电容。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述在衬底上形成晶体管器件层的步骤,具体包括:
依次形成有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间介质层、源漏金属层和钝化层;
其中,所述显示区域中的任一像素区域内,所述钝化层的开口暴露部分所述源漏金属层,以形成所述像素电极连接端。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至2中任意一项所述的阵列基板。
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