[发明专利]一种超薄高纯陶瓷片及其制备工艺

权利要求书

1.一种超薄高纯陶瓷片，其特征在于，主要用于集成电路封装、LED基板，陶瓷片的陶瓷粉体为微米粉体和纳米粉体的混合体，所述纳米粉体占所述陶瓷粉体体积的10～30％；所述微米粉体的中位径不大于3.0μm；所述纳米粉体的中位径不大于0.2μm；所述微米粉体颗粒间相互接触，所述纳米粉体填充在所述微米粉体间的空隙，所述超薄高纯陶瓷片厚度为50～200μm。

2.根据权利要求1所述超薄高纯陶瓷片，其特征在于，所述陶瓷粉体为氧化铝和氮化铝中的一种或者两种。

3.根据权利要求1所述超薄高纯陶瓷片，其特征在于，所述陶瓷粉体为钛酸锂和氧化铝中的一种或者两种。

4.根据权利要求1-3任一项所述超薄高纯陶瓷片的制备工艺，其特征在于，采用流延成型生带和固相烧结，所述流延成型生带以所述陶瓷粉体为浆料的固相，所述陶瓷粉体质量占所述浆料总质量的65％以上；所述固相烧结的烧结温度比所述微米粉体的理论烧结温度低100℃以上。

5.根据权利要求4所述制备工艺，其特征在于，所述固相烧结的烧结温度为1450～1750℃。

6.根据权利要求5所述制备工艺，其特征在于，主要包括以下步骤：

(1)称取陶瓷粉体：按照微米粉体和纳米粉体的体积比称取陶瓷粉体；

(2)制浆：将步骤(1)称取的陶瓷粉体中依次加入溶剂、分散剂后，球磨12～24h；然后加入增塑剂、粘结剂、成膜剂，球磨6～12h；再加入消泡剂在真空搅拌罐中进行除泡20～50min；

(3)流延：将步骤(2)制得的浆料经流延头流出，再通过烘干通道干燥形成固体陶瓷生带，将生带裁剪制成陶瓷坯片；

(4)烧结：将步骤(3)制得的陶瓷坯片送入烧结炉内，以2～3℃/min的速率升温至450～600℃进行排胶加热，保温1～2h，然后以5～10℃/min升温速率加热到烧结温度后保温2～4h，随炉冷后取出。