[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

存储器单元，包括：

第一晶体管，包括：

作为源电极和漏电极中之一的第一导电层；

作为所述源电极和所述漏电极中另一个的第二导电层；

氧化物半导体层，电连接到所述第一导电层和所述第二导电层；

在所述第一导电层、所述第二导电层和所述氧化物半导体层之上的第一绝缘层；以及

在所述第一绝缘层之上的作为栅电极的第三导电层，其中所述第三导电层和所述氧化物半导体层彼此重叠；

在所述第一绝缘层之上的第四导电层，其中所述第四导电层和所述第一导电层彼此重叠；和

第二晶体管，所述第二晶体管的栅电极电连接到所述第一导电层，

其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，

其中所述氧化物半导体层包括所述第一晶体管的沟道形成区域，以及

其中所述第一导电层和所述第四导电层彼此电绝缘以组成电容器。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第四导电层组成所述电容器。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层进一步包括镓。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电层和所述第二导电层位于所述氧化物半导体层之上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层具有小于1 x 10¹² /cm³的载流子密度。

6.一种半导体装置，包括：

存储器单元，包括：

第二晶体管；

在所述第二晶体管之上并且包括开口的第二绝缘层；

第一晶体管，包括：

在所述第二绝缘层之上并且在所述开口中的作为源电极和漏电极中之一的第一导电层；

在所述第二绝缘层之上的作为所述源电极和所述漏电极中另一个的第二导电层；

氧化物半导体层，电连接到所述第一导电层和所述第二导电层；

在所述第一导电层、所述第二导电层和所述氧化物半导体层之上的第一绝缘层；以及

在所述第一绝缘层之上的作为栅电极的第三导电层，其中所述第三导电层和所述氧化物半导体层彼此重叠；和

在所述第一绝缘层之上的第四导电层，其中所述第四导电层和所述第一导电层彼此重叠，

其中所述第一导电层电连接到所述第二晶体管的栅电极，

其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，

其中所述氧化物半导体层包括所述第一晶体管的沟道形成区域，以及

其中所述第一导电层和所述第四导电层彼此电绝缘以组成电容器。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第四导电层组成所述电容器。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层进一步包括镓。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一导电层和所述第二导电层位于所述氧化物半导体层之上。

10.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二晶体管的沟道形成区域设置在半导体衬底中。

11.如权利要求6所述的半导体装置，进一步包括电连接所述第一导电层和所述第二晶体管的所述栅电极的第五导电层。

12.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层具有小于1 x 10¹² /cm³的载流子密度。

13.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体装置是NAND半导体装置，其包括多个串联连接的所述存储器单元。