[发明专利]一种高导电的柔性自支撑石墨烯薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜，其特征在于，将固体基底先进行等离子体表面处理，将氧化石墨烯溶液滴定在固体基底上干燥成膜，将得到的氧化石墨烯薄膜放入氢碘酸水溶液中加热还原，得到高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜自动从固体基底上分离，所述的高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜厚度为50nm-10μm，电导率为1x10⁴～1x10⁵S/m，能够在0～180度弯曲。

2.根据权利要求1所述的高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜，其特征在于，所述固体基底包括玻璃、石英片、硅片中任意一种。

3.制备权利要求1或2所述的高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)将固体基底首先进行等离子体表面处理，并将氧化石墨烯溶液滴定在处理过的固体基底，真空干燥得到氧化石墨烯薄膜；

(2)将固体基底上的氧化石墨烯薄膜放入氢碘酸水溶液中，然后在密闭的条件下加热进行还原反应，得到悬浮在氢碘酸溶液表面的自支撑石墨烯薄膜，洗净晾干，即得成品。

4.根据权利要求3所述的制备高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯水溶液是按照改进的Hummers法，以石墨为原料，制备得到的氧化石墨烯水溶液，所述的氧化石墨烯水溶液的浓度为0.2～3mg/ml。

5.根据权利要求3所述的制备高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中，真空干燥温度为50～100℃，时间为2～6h。

6.根据权利要求3所述的制备高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述的氢碘酸水溶液浓度为47～80wt.％。

7.根据权利要求3所述的制备高导电率的柔性自支撑石墨烯薄膜的方法，其特征在于：步骤(2)还原反应温度为50～200，时间1～5h，氢碘酸与氧化石墨膜的质量比为5～30:1。