[发明专利]一种基于多层氮化硼的RRAM器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于多层氮化硼的RRAM器件，其特征在于，所述的RRAM器件包括介电层、下电极、上电极，所述的介电层为多层氮化硼，所述的下电极为铜箔，所述的上电极为钛和金，钛电极位于多层氮化硼的上表面，金电极位于钛电极的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种基于多层氮化硼的RRAM器件，其特征在于，所述的多层氮化硼的厚度为10nm到20nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于多层氮化硼的RRAM器件，其特征在于，所述的铜箔厚度为15-25μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于多层氮化硼的RRAM器件，其特征在于，所述的钛电极厚度为10nm到20nm，金电极厚度为30-60nm。

5.一种基于多层氮化硼的RRAM器件的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括下述步骤：

（1）采用化学气相沉积法生长氮化硼，以硼氮烷作为前驱物，在10sccm的氢气环境中，1000℃的低压条件下，使铜箔退火30分钟，氮化硼的生长温度保持在750℃，时间控制在5-30分钟，硼氮烷的流量为1-3sccm，氢气流量为2000sccm；生长结束之后，将氮化硼/铜箔在100sccm氢气，100sccm氮气环境中退火1小时，退火温度为1000℃，即得到最终的氮化硼/铜箔样品，氮化硼生长的衬底铜箔作为器件下电极；

（2）使用电子束蒸镀仪和掩模板蒸镀钛电极和金电极：缓慢增加电子束功率，金属开始蒸发，随后增大电子束功率，直至达到0.5Å/s并保持稳定时，打开上挡板，开始蒸镀电极，首先在多层氮化硼的上表面蒸镀钛电极，然后在钛电极的上表面蒸镀金电极，钛电极厚度为10-20nm，金电极厚度为30-60nm。

6.根据权利要求5所述的一种基于多层氮化硼的RRAM器件的制备方法，其特征在于，所述的多层氮化硼的厚度为10nm到20nm。

7.根据权利要求5所述的一种基于多层氮化硼的RRAM器件的制备方法，其特征在于，所述的铜箔厚度为15-25μm。