[发明专利]一种P型氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610031330.6 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105489656A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张新安;赵俊威;李爽;张伟风 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 475004*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种P型氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：包括：
衬底，所述衬底为重掺杂硅衬底，该重掺杂硅衬底同时作为栅电极使用；
绝缘层，为绝缘氧化物膜，位于所述栅电极上；
有源层，为P型铜铁矿结构氧化物膜，位于所述绝缘层上；
源电极、漏电极，均为Cu膜，分别位于所述有源层上；
其中，所述P型铜铁矿结构氧化物膜的材料为CuAlO2、CuInO2或CuGaO2。
2.根据权利要求1所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述衬底为 重掺杂N型硅衬底。
3.根据权利要求1所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘氧 化物膜的材料为SiO2、ZrO2或Al2O3。
4.根据权利要求1所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘层 的厚度为100～300nm。
5.一种如权利要求1所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于： 包括下列步骤：
1)在重掺杂硅衬底上制备绝缘氧化物膜作为绝缘层；
2)采用磁控溅射法在绝缘层上制备P型铜铁矿结构氧化物膜作为有源层，后在氮气 气氛下进行退火处理，得半成品；
3)在步骤2)所得半成品的有源层上制备Cu膜作为源电极、漏电极，即得。
6.根据权利要求5所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于： 步骤1)中，采用热氧化、溶胶凝胶或溅射的方法在重掺杂硅衬底上制备绝缘层。
7.根据权利要求5所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于： 步骤2)中，所述磁控溅射法中，溅射气压为1～10Pa；通入气体为氧气与氩气的混合气 体，氧气与氩气的流量比为1:10～50。
8.根据权利要求5或7所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在 于：步骤2)中，所述磁控溅射法中，溅射功率为60～200W，温度为300～500℃。
9.根据权利要求5所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于： 步骤2)中，所述退火处理的温度为600～1100℃，保温时间为120～180min。
10.根据权利要求5所述的P型氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于： 步骤3)中，采用磁控溅射的方法在有源层上制备金属铜薄膜作为源电极、漏电极。
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