[发明专利]一种基于REBCO模版的SERS基底及制备方法

权利要求书

1.一种基于REBCO模版的SERS基底，其特征在于，所述SERS基底包括REBCO模版层及所述REBCO模版层外表镀覆的金属修饰层；

其中，所述REBCO模版层的厚度在10～2000nm连续可调，结构从非晶到多晶，a、b轴取向及c轴取向或混合取向任意可调；

所述金属修饰层为金属薄膜或者金属颗粒层；所述金属修饰层的厚度为5～200nm。

2.一种根据权利要求1所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将REBCO靶材升温至生长温度，调节激光能量和频率，通入氧气，镀膜系统传送装置带动金属基带通过镀膜区，即可在金属基带缓冲层表面形成REBCO模版层；

步骤二，REBCO靶材原位更换为修饰金属靶材，通过脉冲沉积方法、磁控溅射方法或蒸镀方法在所述REBCO模版层表面镀金属修饰层，即得柔性SERS基底。

3.根据权利要求2所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述生长温度为650～850℃；

所述激光能量和频率具体为：E＝50～300mJ，f＝1～200Hz；

通入氧气前，镀膜区为真空状态，通入氧气后镀膜区气压为5～200mTorr。

4.根据权利要求2所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述通过是以5～10m/h的速度一次通过镀膜区，或者以30～50m/h的速度通过多通道镀膜区。

5.根据权利要求2所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述通过脉冲沉积方法在所述REBCO模版层表面镀金属修饰层具体包括：调节激光能量和频率，镀有REBCO模版层的金属基带通过镀膜区，即可在REBCO模版层的表面镀上金属修饰层。

6.根据权利要求5所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，所述激光能量和频率具体指：E＝50～300mJ，f＝1～200Hz；

所述通过指镀有REBCO模版层的金属基带以30m/h的速度一次通过镀膜区，或者以150m/h的速度通过多通道镀膜区。

7.根据权利要求2所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述通过磁控溅射方法在所述REBCO模版层表面镀金属修饰层具体包括：将镀有REBCO模版层的金属基带缠绕设置在磁控溅射镀膜系统内，通入氩气，控制溅射功率，镀有REBCO模版层的金属基带通过多道镀膜区，即可在REBCO模版层的表面镀上金属修饰层。

8.根据权利要求7所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，通入氩气后镀膜区的气压应达到起辉条件；

所述溅射功率具体为10～1000W；

所述通过具体指将镀有REBCO模版层的金属基带以1～50m/h的速度一次通过镀膜区，或者以7～200m/h的速度通过多通道镀膜区。

9.根据权利要求2所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述通过蒸镀方法在所述REBCO模版层表面镀金属修饰层具体包括：对镀有REBCO模版层的金属基带进行切割、固定，调节真空度，融化修饰金属靶材，打开MASK蒸镀至修饰金属层，即可。

10.根据权利要求9所述的基于REBCO模版的SERS基底的制备方法，其特征在于，所述真空度具体指真空度低于3×10^-6Torr。