[发明专利]直接氮化法制备免研磨高纯全颗粒状氮化硅粉体的方法

权利要求书

1.直接氮化法制备免研磨高纯无纤维全颗粒状氮化硅粉体的方法，其特征在于:本发 明采用纯度为99.990~99.999%，D50为800目~1000目的硅粉做为原料，采用99.999%的高纯 氮气和99.999%的高纯氩气做为环境气氛。

2.根据权利要求1所述的直接氮化法制备免研磨高纯无纤维全颗粒状氮化硅粉体的方 法，其特征在于:

本发明制备步骤如下：按照权利要求1中的比例备料；

（1）、将硅粉放入气氛炉中，硅粉层厚控制在15~30mm；

（2）、关闭炉门及气流通道，抽真空；

（3）、通入高纯氮气气流，气体流出量控制在0.3~1.0L/Min；

（4）、在氮气气流中，将炉温升至1300~1340℃，保温90~120分钟；

（5）、关闭氮气气流，抽真空，通入高纯氩气气流，气体流出量控制在0.3~1.0L/Min

（6）、在高纯氩气气流中将炉温升至1450~1480℃；

（7）、关闭高纯氩气气流，抽真空，通入高纯氮气气流，气体流出量控制在0.3~1.0L/ Min；

（8）、在高纯氮气气流及炉温1450~1480℃条件下保温600分钟及以上时间，直到使硅粉 完全氮化，然后降至室温，得到免研磨高纯度无纤维全颗粒状氮化硅。