[发明专利]一种半导体芯片在审
| 申请号： | 201610033367.2 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105679905A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;陈锡园 | 申请（专利权）人： | 上海万寅安全环保科技有限公司;华鼎科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L23/552 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200031 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括衬底，依次生长在衬底上的N型层、发光层、P型层以及设置在N型层与P型层上的N电极和P电极，在所述衬底与N型层之间有溅镀的图形结构，所述衬底的材料是蓝宝石，所述图形结构的材料是Cu，所述溅镀采用脉冲电源进行，操作电压介于400伏特至700伏特之间。
2.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度是15-200微米。
3.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度是25-75微米。
4.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述图形结构与N型层之间设置缓冲层。
5.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述图形结构为圆形、方形、梯形、正六边形、菱形、三角形或不规则图形中的任何一种或几种图形的组合。
6.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述图形结构的厚度是0.05-2微米，每个图形结构的宽度是2-4微米，各图形结构之间的间距是2-5微米。
7.根据权利要求6所述半导体芯片，其特征在于，所述图形结构的厚度是0.1-1微米。
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