[发明专利]高灵敏硅二维热式风速计及其制备方法有效
申请号: | 201610033615.3 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105675916B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 秦明;叶一舟;姚玉瑾;黄庆安 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01P5/10 | 分类号: | G01P5/10 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灵敏 二维 风速计 及其 制备 方法 | ||
1.一种高灵敏硅二维热式风速计,其特征在于,该风速计在衬底材料(1)中心设有通孔,衬底材料(1)表面覆盖低热导率薄膜层(2),在上表面通孔上方设有加热元件(3),该加热元件(3)为对称结构,但其覆盖面积小于通孔面积,以加热元件(3)为中心,正交对称分布四个温度传感器(4)。
2.根据权利要求1所述的高灵敏硅二维热式风速计,其特征在于,通孔和环境空气是连通的。
3.根据权利要求1所述的高灵敏硅二维热式风速计,其特征在于,通孔形状是柱形,或下大上小的倒喇叭形。
4.一种制备高灵敏硅二维热式风速计的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
首先通过热氧化的方法在晶向的硅片材料上,氧化形成一层低热导率的二氧化硅薄膜,然后光刻并采用氢氧化钾或四甲基氢氧化氨溶液湿法腐蚀衬底硅在中心形成通孔,接着重新热氧化以在衬底上表面和通孔内壁形成一层低热导率的二氧化硅薄膜层,接下来在上方氧化硅薄膜上采用磁控溅射方法溅射金属钛和铂并光刻形成十字加热元件和四个温度传感器,最后腐蚀掉通孔中心上方的氧化薄层释放结构,自此,制作过程完成。
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