[发明专利]相变化记忆体及其制造方法

权利要求书

1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于包含以下操作：

形成一第一导电接触结构贯穿一第一介电层；

形成一图案化加热材料层覆盖该第一导电接触结构的一顶面及一部分的该第一介电层；

形成一第二介电层覆盖该图案化加热材料层；

形成一第一凹口贯穿该第二介电层及该图案化加热材料层，其中该第一凹口将该图案化加热材料层断开而形成一第一加热元件以及一第二加热元件，该第一加热元件的一底面接触该第一导电接触结构的该顶面；

蚀刻该第一凹口内的该第一介电层的一侧壁以及该第二介电层的一侧壁，使该第一凹口进一步延伸至该第一介电层及该第二介电层中，其中该第一加热元件的一边缘凸出该第一介电层的该侧壁以及该第二介电层的该侧壁；以及

形成一相变化元件于该第一凹口中，且该相变化元件接触该第一加热元件的该边缘及该第二加热元件的一边缘。

2.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，还包括以下操作：

形成一第三介电层覆盖该相变化元件及该第二介电层；

形成一第二凹口贯穿该第三介电层及该第二介电层以暴露出该第二加热元件的一部分；以及

形成一第二导电接触结构于该第二凹口中以及该第三介电层上，其中该第二导电接触结构的一底面接触该第二加热元件的该部分。

3.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该第一加热元件的该边缘凸出该第一介电层的该侧壁或该第二介电层的该侧壁的一长度为该第一加热元件的一厚度的1/5至1/20。

4.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，形成该图案化加热材料层的操作包括以下步骤：

形成一加热材料层于该第一导电接触结构及该第一介电层上；

形成一图案化遮罩于该加热材料层上；

蚀刻该加热材料层，而将该图案化遮罩的一图案移转至该加热材料层，以形成该图案化加热材料层；以及

移除该图案化遮罩。

5.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在形成该图案化加热材料层的操作中，该图案化加热材料层具有一矩形的上视图案。

6.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在形成该图案化加热材料层的操作中，该图案化加热材料层包括一第一宽部、一第二宽部以及一颈部，该颈部桥接该第一宽部与第二宽部，且该第一宽部的一宽度及该第二宽部的一宽度大于该颈部的一宽度；且其中形成该第一凹口的操作包含移除该颈部的一部分，而断开该图案化加热材料层。

7.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在形成该图案化加热材料层的操作中，该图案化加热材料层包括一第一宽部、一第二宽部、一第一窄部以及一第二窄部，该第一窄部及该第二窄部桥接该第一宽部与第二宽部，该第一宽部的一宽度及该第二宽部的一宽度大于该第一窄部的一宽度以及该第二窄部的一宽度；且其中形成该第一凹口的操作包含移除该第一窄部的一部分及该第二窄部的一部分，而断开该图案化加热材料层。

8.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该第一加热元件的一厚度为2至40 nm。

9.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该图案化加热材料层包含相互堆叠的多个子结构层，其中至少两相邻的子结构层的材料彼此相异，所述至少两相邻的子结构层的材料之间存在一电阻率差值。

10.如权利要求9所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该电阻率差值为所述子结构层中具有最小电阻率的材料的3倍至80倍。