[发明专利]高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 201610034408.X | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105732032A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 郭益平;张凯;段华南;潘迪;陈玉洁;李华;刘河洲 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 致密 铌锑酸钾钠锂 锆酸铋钠钙 二元 系无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷,其特征在于,该二元系无铅压电陶瓷由通式(k0.48,Na0.52)0.95Li0.05Nb1-xSbx-0.03Ca0.5(Bi0.5,Na0.5)ZrO3表示,式中的x代表压电陶瓷体系中Sb元素在组元中所占的原子数,即原子百分比,式中x=0.01,0.03,0.05-0.08或0.10。
2.根据权利要求1所述的高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷,其特征在于,所述的二元系无铅压电陶瓷的晶体结构为钙钛矿结构。
3.根据权利要求1或2所述的高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷,其特征在于,所述的二元系无铅压电陶瓷的致密度高达4.63g/cm3,压电常数d33为267pC/N,平面机电耦合系数kp达45.2%,Tc高达253℃。
4.一种如权利要求1或2所述的高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下工艺步骤:
(1)采用传统固相烧结工艺法制备工艺,以分析纯的碳酸钠,碳酸钾,五氧化二铌,三氧化二锑,碳酸锂,碳酸钙,氧化铋,氧化锆为原料,按照相应体系的(k0.48,Na0.52)0.95Li0.05Nb1-xSbx-0.03Ca0.5(Bi0.5,Na0.5)ZrO3进行配料;
(2)将步骤(1)配制好的原料用行星球磨后烘干得到混合干粉;
(3)将步骤(2)所得混合干粉在850℃保温6小时预烧,在预烧好的粉料中加入5wt%的聚乙烯醇水溶液造粒;
(4)将步骤(3)造粒好的粉末,压制成圆片状坯体,并在450℃排胶3小时后,在1100-1120℃保温3小时烧结,得陶瓷片;
(5)将步骤(4)烧结好的陶瓷片两面磨平后被上银电极;被上银电极的陶瓷片在30℃的硅油中,在电场强度为3kV/mm的电压下极化15min,取出即获得高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷。
5.根据权利要求4所述的高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的行星球磨采用的介质为无水乙醇,球磨时间为24h。
6.根据权利要求4所述的高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述陶瓷片使用阿基米德排水法测得陶瓷的密度。
7.根据权利要求4所述的高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于,所述的高致密度的铌锑酸钾钠锂-锆酸铋钠钙二元系无铅压电陶瓷在空气中静置24小时后,采用IEEE标准测量其电学性能。
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