[发明专利]基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源

说明书

本发明公开了一种基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源，包括电子枪、辐射体和螺线管磁铁；电子枪与真空管道相连接，辐射体置于真空管道内部，螺线管磁铁包裹在所述真空管道外。辐射体存在由基模到高阶模式的不同的模式，不同的模式对应不同的辐射频率，通过选取辐射体的参数及电子能量，使得辐射体的高阶模式的频率为基模频率的整数倍，即为基模频率的谐波。采用了谐波增强的方法：即使得高阶模式的频率为基模频率的整数倍。可利用参数要求很低的电子束以及大尺寸的波导来产生高功率、高频率的THz辐射源。

技术领域

本发明涉及一种电子加速器、真空电子学技术，尤其涉及一种基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源。

背景技术

太赫兹波是指频率在0.1-30THz之间的电磁波，由于现有光源尚未完全覆盖该频段、故称THz间隙(gap)。因其在生命科学，材料科学，通信技术以及国家安全等多个领域具有广阔的应用前景受到国内外科学家的普遍关注。THz源是发展太赫兹科学的基础，也是相关学科发展的主要瓶颈。

为了填补所谓的“THz间隙”，加速器、激光、真空电子学领域的研究人员作出了很多贡献。基于电子加速器的THz辐射源有能力覆盖整个THz波段，并且其峰值功率可到兆瓦以上。但是，由于其成本高昂、装置庞大、需要大量的外围支持设备，因此其应用范围受到了很大限制。作为一个紧凑型的THz源，量子级联激光器(Quantum-cascade-laser:QCL)也可覆盖很宽的THz波段，对于不同频率的THz，其功率从几十微瓦到几百毫瓦不等。其限制条件在于需要超低温工作环境：零下200℃以下。真空电子学方面，有很多不同种类的THz辐射源，例如：返波管(backwards-wave oscillator)、调制器(klystron)、行波管(traveling-wave tube)、回旋管(gyrotron)等。其中以返波管和回旋管受到的关注最多。返波管辐射的THz功率从微瓦到百毫瓦不等，其在提高辐射频率时，受到了起振电流密度高及极小尺寸的返波结构的限制。回旋管可以产生千瓦量级、辐射频率在1THz左右的高功率辐射，但是其需要极强的磁铁(几十特斯拉)，在技术上难以实现。

基于慢波结构(例如：介质波导)的自由电子激光THz辐射源是另一种可以产生高功率THz辐射的技术。其简要工作原理，以介质波导为例，简述如下：介质波导根据不同的材料和尺寸、存在一系列的本征模式，高阶模式对应更高的频率；当电子束穿过波导结构时，相应频率的模式将被激发出来(即尾场辐射)，其中以基模占主导地位；电子束将被自己激发出来的尾场进行能量调制(不同位置处的电子能量不同)，经过一段距离的相互作用，电子束将在基模频率上实现群聚，从而使得该频率的辐射得到相干增强，以此获得高功率的辐射。为获得更高频率的基模辐射，要求介质波导的尺寸更小、同时要求电子束的流强及能量更高。例如：美国研究人员为获得0.35THz的辐射，其采用了410千伏的电子枪加速获得150安培的电流来激发介质波导获得了10千瓦的功率。而410千伏的电子枪，其电源系统十分庞大，且只能工作于脉冲模式，不能连续发射，同时150安培的流强在技术上也同样难以实现。因此，这个矛盾也成为限制该技术获得大范围推广的主要因素。

发明内容

本发明的目的是提供一种高功率、高频率的基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源，包括电子枪、辐射体和螺线管磁铁；

所述电子枪与真空管道相连接，所述辐射体置于真空管道内部，所述螺线管磁铁包裹在所述真空管道外；

所述辐射体包括以下任一种：

介质波导、返波管、褶皱金属波导、两块金属平板组成的波导、两块包裹有金属膜的介质平板组成的波导。