[发明专利]多层色彩微晶石瓷砖的加工方法有效
申请号: | 201610036487.8 | 申请日: | 2016-01-20 |
公开(公告)号: | CN105667050B | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 韦杰;王雪峰 | 申请(专利权)人: | 广西柳州中嘉知识产权服务有限公司 |
主分类号: | B32B37/06 | 分类号: | B32B37/06;B32B37/08;B32B43/00;C03C10/00 |
代理公司: | 柳州市集智专利商标事务所45102 | 代理人: | 韦永青 |
地址: | 545006 广西壮族自治区柳州市柳*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 色彩 微晶石 瓷砖 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及建筑材料加工技术领域,尤其是一种多层色彩的微晶石陶瓷板材的加工方法。
背景技术
微晶石瓷砖因微晶石的多种优点而广受大众喜爱,随着人们需要的提高,需要一种多种图案色彩重叠的视觉感受或是不同颜色于不用层次的视觉效果的微晶石瓷砖,以装饰电视墙等室内装潢的需要。现有的微晶石陶瓷板材,一般都是采用烧结的工艺制成,即原料配好后在高于1000°C的高温下熔融,再低温结晶,形成微晶石板料后再进行剪裁成为微晶石陶瓷板材。这样的工艺由于熔融状态下原料微粒的状态分布比较均匀,结晶后的微晶石为一个整体,即为一层结构,没有层次感。如果想要分层,有企业将板料烧结成较薄的多块,在粘合起来,形成一块多层的板料,由于多层粘合需要各种粘合剂,在使用中这种多层粘合的微晶石陶瓷板材非常不牢固,而且粘合剂的使用,造成微晶石瓷砖的光洁度,滤光性等性能都大受影响,因而无法正常使用。
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种多层色彩微晶石瓷砖的加工方法,以解决现有微晶石板材结构上没能分层造成色彩也不能分层的问题。
为了解决上述问题,本发明的技术方案是:本多层色彩微晶石瓷砖的加工方法包括加工一种多层色彩微晶石瓷砖,所述多层色彩微晶石瓷砖包括微晶石板体,所述微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层;所述微晶石材料层的原料包括以下重量份的组分:二氧化硅60~70份,碳酸钙16~20份,氧化钙6~10份,氧化锌3~4份,碳酸钡2~3份,氧化硼2~3份;第偶数层所述微晶石材料层的原料还包括有氧化钠1~1.5份;每层所述微晶石材料层的原料中还包括有0.6~0.8份的着色用氧化物,所述着色用氧化物包括有氧化铁,氧化亚铁,三氧化二铝,氧化铜,二氧化锰;
其加工方法包括以下步骤:
A、将第偶数层微晶石材料层的原料粉碎、配料,之后在1500°C~1550°C的温度下熔融1.8小时~2.6小时,再自然冷却8小时~10小时,形成晶粒,将晶粒分于需要份数的结晶凹模中,再结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.5小时,形成第偶数层的晶层;
B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料,之后在1500°C~1550°C的温度下熔融1.8小时~2.6小时,再自然冷却8小时~10小时,形成晶粒,将晶粒在结晶凹模内,再于所述晶粒之中再插入或所述晶层之上让入步骤A获得的第偶数层晶层,再进行结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.5小时,形成一对第奇数和第偶数加第奇数层的三晶层对或形成一对第奇数和第偶数层的双晶层对;
C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶,再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对,再次进行结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.8小时,形成微晶石板料;
D、对板料使用等离子切割机进行切割、拼图加工,形成微晶石陶瓷板材。
为了解决上述问题,本发明的技术方案还可以是:本多层色彩微晶石瓷砖的加工方法包括加工一种包括多层色彩微晶石瓷砖,所述多层色彩微晶石瓷砖包括微晶石板体,所述微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层;所述微晶石材料层的原料包括以下重量份的组分:二氧化硅60~70份,碳酸钙16~20份,氧化钙6~10份,氧化锌3~4份,碳酸钡2~3份,氧化硼2~3份;第偶数层所述微晶石材料层的原料还包括有氧化钠1~1.5份;每层所述微晶石材料层的原料中还包括有0.6~0.8份的着色用氧化物,所述着色用氧化物包括有氧化铁,氧化亚铁,三氧化二铝,氧化铜,二氧化锰;
其加工方法包括以下步骤:
A、将第偶数层微晶石材料层的原料中除着色用氧化物外,均混合粉碎、配料,之后在1500°C~1550°C的温度下熔融1.8小时~2.6小时,取出后于熔融液体面上撒上着色用氧化物,再自然冷却8小时~10小时,形成晶粒,将晶粒分于需要份数的结晶凹模中,再结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.5小时,形成第偶数层的晶层;
B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料,之后在1500°C~1550°C的温度下熔融1.8小时~2.6小时,取出后于熔融液体面上撒上着色用氧化物,再自然冷却8小时~10小时,形成晶粒,将晶粒在结晶凹模内,再于所述晶粒之中再插入或所述晶层之上让入步骤A获得的第偶数层晶层,再进行结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.5小时,形成一对第奇数和第偶数加第奇数层的三晶层对或形成一对第奇数和第偶数层的双晶层对;
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