[发明专利]分层微晶石瓷砖的加工方法有效

专利信息
申请号: 201610036489.7 申请日: 2016-01-20
公开(公告)号: CN105669037B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 韦杰;王雪峰 申请(专利权)人: 广西柳州中嘉知识产权服务有限公司
主分类号: C03C10/00 分类号: C03C10/00;C03C6/04;B32B17/06;E04F13/14
代理公司: 柳州市集智专利商标事务所45102 代理人: 韦永青
地址: 545006 广西壮族自治区柳州市柳*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 分层 微晶石 瓷砖 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种分层微晶石瓷砖的加工方法,其特征在于:包括加工一种分层微晶石瓷砖,所述分层微晶石瓷砖包括微晶石板体,所述微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层;所述微晶石材料层的原料包括以下重量份的组分:二氧化硅60~70份,碳酸钙16~20份,氧化钙6~10份,氧化锌3~4份,碳酸钡2~3份,氧化硼2~3份;第偶数层所述微晶石材料层的原料还包括有氧化钠1~1.5份;

其加工方法包括以下步骤:

A、将第偶数层微晶石材料层的原料粉碎、配料,之后在1500°C~1550°C的温度下熔融1.8小时~2.6小时,再自然冷却8小时~10小时,形成晶粒,将晶粒分于需要份数的结晶凹模中,再结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.5小时,形成第偶数层的晶层;

B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料,之后在1500°C~1550°C的温度下熔融1.8小时~2.6小时,再自然冷却8小时~10小时,形成晶粒,将晶粒在结晶凹模内,再于所述晶粒之中再插入或所述晶层之上插入步骤A获得的第偶数层晶层,再进行结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.5小时,形成一对第奇数和第偶数加第奇数层的三晶层对或形成一对第奇数和第偶数层的双晶层对;

C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶,再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对,再次进行结晶,结晶温度为1000°C~1020°C,结晶时间为0.8小时,形成微晶石板料;

D、对板料使用等离子切割机进行切割、拼图加工,形成微晶石陶瓷板材。

2.根据权利要求1所述的分层微晶石瓷砖的加工方法,其特征在于:第偶数层所述微晶石材料层的厚度小于第奇数层所述微晶石材料层的厚度。

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