[发明专利]一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201610037480.8 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105428546A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 舒适;何晓龙;徐威;徐传祥;齐永莲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qled 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种QLED的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一电极、第一功能层、量子点层、第二功能层和第二电极，所述第一功能层采用有机材料制成；其特征在于，
在形成所述第一功能层之后，形成所述量子点层之前，所述制备方法还包括：形成缓冲层，所述缓冲层的材料为极性有机溶剂；
形成所述量子点层，包括：
将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液，采用喷墨打印方式形成在所述缓冲层上方；
通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成所述量子点层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述极性有机溶剂和所述非极性有机溶剂的沸点均小于200℃。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述极性有机溶剂包括醇类、醚类。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述非极性有机溶剂包括烷烃、芳香烃。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一功能层，包括：
采用喷墨打印方式在所述第一电极上方依次形成空穴注入层和空穴传输层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成所述第二功能层，包括：
采用喷墨打印方式在所述量子点层上方形成电子传输层。
7.一种显示装置的制备方法，包括在衬底基板上形成位于每个子像素位置处的QLED，其中，所述子像素之间通过像素限定层隔离；其特征在于，所述QLED通过权利要求1-6任一项所述的制备方法形成。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在形成所述QLED中的第一电极之前，所述制备方法还包括：
形成位于每个子像素位置处的薄膜晶体管。
9.一种QLED，其特征在于，通过权利要求1-6任一项所述的制备方法形成。
10.一种显示装置，其特征在于，通过权利要求7或8所述的制备方法形成。
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