[发明专利]一种基于异质双光转换片的LED封装体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，其特征在于，当有机硅树脂光转换片的形状为矩形时，包括如下基本步骤：

步骤1，凹形热塑性树脂光转换片的制备：在真空加热条件下，将含有热塑性树脂和光转换材料的混合浆料通过光面双辊滚压装置进行滚压，得到预制的热塑性树脂光转换片；然后将热塑性树脂光转换片通过带阵列凸面的单辊轮和带阵列凹面的单辊轮组成的双辊滚压定形裁切装置同时进行相向对准滚压裁切，得到外表面为光面和内表面的界面形状为锯齿形糙面、波浪形糙面或脉冲形糙面中的一种或多种组合的凹形热塑性树脂光转换片；

步骤2，异质双光转换片的制备：在真空条件下，将含有有机硅树脂和光转换材料的混合浆料注入步骤1所述凹形热塑性树脂光转换片中，然后升温固化，形成内表面为光面的半固化的有机硅树脂光转换片，该半固化的有机硅树脂光转换片的外表面的界面与凹形热塑性树脂光转换片的内表面的界面紧贴，得到异质双光转换片；

步骤3，LED芯片阵列膜片的准备：获得以阵列方式排列于载体膜片上的LED芯片阵列膜片，其中，所述LED芯片是指单个LED芯片或LED芯片组件；其中所述LED芯片组件由两个以上的单个LED芯片组合而成；

步骤4，LED封装体元件的贴合成型：在真空加热的条件下，将步骤2得到的异质双光转换片的半固化有机硅树脂的内表面与步骤3所述LED芯片阵列膜片中的LED芯片进行相向对准滚压压合，得到半成品LED封装体元件；

步骤5，LED封装体元件的固化：采用加热固化方式将步骤4所述半成品LED封装体元件进行固化，从而得到整版带异质双光转换片的成品LED封装体元件。

2.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，其特征在于，步骤1所述得到预制的热塑性树脂光转换片是指首先将混合浆料通过第一光面双辊滚压压合机滚压成型，得到粗制热塑性树脂光转换片；然后再将成型后的粗制热塑性树脂光转换片通过第二光面双辊滚压压合机滚压成型，得到精制热塑性树脂光转换片。

3.根据权利要求2所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，其特征在于，所述粗制热塑性树脂光转换片的厚度为850 μm以内；精制热塑性树脂光转换片的厚度为800 μm以内。

4.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，其特征在于，步骤1所述混合浆料通过光面双辊滚压是指将所述混合浆料通过三组以上的双辊滚压成型，直接得到精制热塑性树脂光转换片；该精制热塑性树脂光转换片的厚度为800 μm以内。

5.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，其特征在于，步骤1所述带阵列凸面的单辊轮的上表面形状为锯齿形糙面、波浪形糙面或脉冲形糙面中的一种或多种组合。

6.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，步骤1所述相向对准滚压裁切是指通过相向对准的带有阵列凸面的滚压装置与带有阵列凹面的滚压装置同时进行滚压定形与滚压裁切两个功能一次同步实现。

7.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，步骤2所述升温固化的温度为50～150 ºC。

8.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，步骤4所述相向对准滚压压合的温度为50～120 ºC。

9.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，其特征在于，步骤5所述加热固化温度为120～160 ºC。

10.根据权利要求1所述的一种基于异质双光转换片的LED封装体元件的制造方法，其特征在于，步骤3所述载体膜片为可拉伸载体膜片；所述可拉伸载体膜片的材质为耐高温聚酯或聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯中的一种。