[发明专利]基于两端半导体功率开关的RSD触发电路有效
| 申请号： | 201610039758.5 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105720951B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 彭亚斌;卢社阶;雷涛;刘纪磊 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | H03K3/57 | 分类号： | H03K3/57 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 437100 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 两端 半导体 功率 开关 rsd 触发 电路 | ||
1.一种基于两端半导体功率开关的RSD触发电路，其特征在于：包括充电电路，放电主电路，RSD触发电路和控制电路；
所述放电主电路串联RSD触发电路，所述充电电路连接于放电主电路、RSD触发电路两端；所述控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端；所述放电主电路包括依序串联的RSD开关、磁开关L、主电容C0和负载Z0；所述RSD触发电路包括脉冲电源，磁开关L2，半导体开关K21，半导体开关K22，磁开关L21，磁开关L22和触发电容Cc；所述脉冲电源、半导体开关K21、RSD开关、半导体开关K22、触发电容Cc依序串联、构成RSD触发电流回路；所述磁开关L21串联半导体开K22后与RSD开关并联；所述磁开关L22串联触发电容Cc后与半导体开关K22并联；所述磁开关L2串联半导体开关K21和触发电容Cc与磁开关L21并联；
所述磁开关L21、磁开关L22由导线在铁氧体或环形微晶铁氧体薄膜的磁芯上缠绕若干圈构成。
2.如权利要求1所述一种基于两端半导体功率开关的RSD触发电路，其特征在于：所述脉冲电源采用基于RSD或晶闸管或IGBT或功率MOSFET或IGCT或GTO的脉冲电源，包括充电电路和放电电路两部分；所述放电电路包括放电电容C0、磁开关L、半导体功率开关K，输出半导体开关K21、半导体开关K22的触发电流。
3.如权利要求2所述一种基于两端半导体功率开关的RSD触发电路，其特征在于：所述半导体功率开关K采用基于IGBT或功率MOSFET或IGCT或GTO的半导体功率开关。
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